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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大SDM2019-42 ICD2019-7
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大SDM2018-90
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
EA 2018-02-15
14:30
広島 県立広島大学 定常雑音環境の質変化がロンバード効果に与える影響
西藤 渉秋田昌憲緑川洋一大分大EA2017-93
本研究室では、定常雑音環境における日本語5母音発声データのフォルマントシフト状況を測定し、ロンバード効果と雑音の大きさ・... [more] EA2017-93
pp.1-6
PRMU, CNR
(共催)
2014-02-14
10:00
福岡 福岡大学 センサフュージョンを用いた電子ペンの筆記軌跡復元
齋藤 航鳥羽商船高専)・中井一文静岡大)・出江幸重江崎修央鳥羽商船高専PRMU2013-157 CNR2013-65
情報機器へ手書き文字を入力する手段として,様々な種類のデバイスが存在するが,これらを利用するとき,電子ペンの他に専用紙が... [more] PRMU2013-157 CNR2013-65
pp.141-146
PRMU 2011-11-24
09:30
長崎 長崎大学 加速度センサを用いた日本語文字入力方法の検討
中井一文齋藤 航江崎修央鳥羽商船高専)・杉浦彰彦静岡大PRMU2011-100
情報機器への手書き入力手段はタブレット上で操作するものが大半で,ペン以外にも電子機器が必要である.そこで,我々は加速度情... [more] PRMU2011-100
pp.7-12
OME, EID
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2010-07-12
14:05
東京 機械振興会館 光反応性有機薄膜を用いた有機EL素子形成
室山雅和横倉精二斉藤 航宮川大地田中邦明臼井博明東京農工大EID2010-2 OME2010-37
重合性モノマーと光重合開始剤の共蒸着により形成した感光性薄膜に紫外光を照射し,有機溶媒で現像することによってカルバゾール... [more] EID2010-2 OME2010-37
pp.5-10
MW, ED
(共催)
2009-01-14
16:15
東京 機械振興会館 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用
齋藤 渉東芝)・土門知一東芝ビジネスアンドライフサービス)・大村一郎新田智洋垣内頼人齋藤泰伸津田邦男山口正一東芝ED2008-204 MW2008-169
高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスに... [more] ED2008-204 MW2008-169
pp.35-40
ICD, ITE-IST
(共催)
2008-10-22
14:45
北海道 北海道大学 情報教育館3F Cyclic方式D/Aコンバータの特徴を生かしたリニアリティ特性改善手法
齋藤 航小林英尚松本哲也四柳道夫NECエレクトロニクスICD2008-62
Cyclic方式D/Aコンバータ(DAC)の単調性を保証できるようにするために、このDACの特徴を生かしながら、リニアリ... [more] ICD2008-62
pp.19-24
MW, ED
(共催)
2007-01-19
15:50
東京 機械振興会館 GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
齋藤 渉土門知一津田邦男大村一郎東芝
GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電... [more] ED2006-237 MW2006-190
pp.205-208
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