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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, EID, SDM, ICD, MRIS, SCE, OME, EMD
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2018-03-08
13:50
静岡 東レ総合研修センター [招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望
原 直紀高橋 剛川野陽一中舍安宏富士通/富士通研
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体はSiに比べて電子移動度・電子速度や耐圧が高いといった物性上の利点からSiを上回る高速で動作可能なト... [more] EMD2017-73 MR2017-44 SCE2017-44 EID2017-46 ED2017-118 CPM2017-138 SDM2017-118 ICD2017-123 OME2017-67
pp.9-10
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] ED2016-102 MW2016-178
pp.29-33
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICT
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-01-20
15:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] ED2015-118
pp.37-41
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICT
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
ED 2015-12-21
14:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 GaAsSbバックワードダイオードの非平衡量子輸送モデルによる理論解析
藤田尚成小野孝介須原理彦首都大東京)・高橋 剛富士通研
GaAsSb系バックワードダイオードの直流I-V特性とSパラメータの周波数特性を表現する理論モデルの構築を行った。トンネ... [more] ED2015-93
pp.13-18
ED 2015-12-21
14:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] ED2015-94
pp.19-23
MW, ED
(共催)
2015-01-16
13:00
東京 機械振興会館 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用
佐藤 優芝 祥一川野陽一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
 [more] ED2014-130 MW2014-194
pp.77-81
ED 2014-12-23
09:40
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上
高橋 剛佐藤 優中舎安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] ED2014-108
pp.57-61
ED 2014-08-01
10:30
東京 機械振興会館B3-1室 [招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
高橋 剛佐藤 優中舍安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] ED2014-53
pp.1-6
ED 2013-12-16
13:15
宮城 東北大通研 [招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
佐藤 優川野陽一芝 祥一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの... [more] ED2013-91
pp.7-11
ED 2013-12-16
14:20
宮城 東北大通研 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
芝 祥一佐藤 優松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し... [more] ED2013-93
pp.19-23
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
ED 2012-12-18
11:40
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel Diodes
Mikhail PatrashinNorihiko SekineAkifumi KasamatsuIssei WatanabeIwao HosakoNICT)・Tsuyoshi TakahashiMasaru SatoYasuhiro NakashaNaoki HaraFujitsu Lab.
 [more] ED2012-106
pp.75-76
ED 2011-12-14
14:30
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 ミリ波センサ用低雑音増幅器および検波器
佐藤 優高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通研
 [more] ED2011-103
pp.19-24
ED 2010-12-17
09:30
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討
原 直紀中舍安宏牧山剛三高橋 剛富士通/富士通研
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信... [more] ED2010-165
pp.41-45
NS, IN
(併催)
2010-03-04
11:10
宮崎 宮崎シーガイア リングトポロジにおけるレイヤ2高速障害切り替え方式
濱田和樹高橋克佳鹿島和幸三菱電機
レイヤ2ネットワークにおいては,ネットワークの冗長化と障害発生時の代替経路切り替えを実現する方法としてスパニングツリープ... [more] IN2009-151
pp.43-48
ED, MW
(共催)
2010-01-15
09:30
東京 機械振興会館 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通
 [more] ED2009-190 MW2009-173
pp.87-92
ED 2008-12-19
15:55
宮城 東北大学電気通信研究所 W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三富士通)・廣瀬達哉富士通研)・原 直紀富士通
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット(波束)送... [more] ED2008-189
pp.27-32
MW, EMCJ
(共催)
2008-10-24
11:25
山形 山形大学(米沢) 94GHz帯パッシブセンサ用InP-HEMT MMICの開発
佐藤 優廣瀬達哉多木俊裕高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通)・佐藤弘康澤谷邦男水野皓司東北大
 [more] EMCJ2008-72 MW2008-116
pp.77-80
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