| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2017-10-26 10:50 |
宮城 | 東北大学未来研 | ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果 ○女屋 崇（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀（物質・材料研究機構/JST）・澤本直美（明大）・大井暁彦・池田直樹・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）  SDM2017-57 |
本研究では、TiN下部電極と強誘電体HfxZr1-xO2 (HZO)薄膜の間に原子層堆積法を用いて成膜したZrO2膜をシ... [more] | SDM2017-57 pp.39-44 |
| SDM | 2015-06-19 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性 ○栗島一徳（明大/物質・材料研究機構）・生田目俊秀・塚越一仁・大井暁彦・知京豊裕（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大） SDM2015-51 |
Ga-In-Zn-O(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性にAl2O3層が及ぼす影響について調査した。プラズマ... [more] | SDM2015-51 pp.69-73 |
| SDM | 2014-06-19 11:45 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価 ○生田目俊秀・大井暁彦（物質・材料研究機構）・伊藤和博・高橋 誠（阪大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2014-49 |
Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3層間のコンダクションバンドオフセットが1.8 eVと大きなp-Si/SiO2/... [more] | SDM2014-49 pp.31-35 |
| SDM | 2013-06-18 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制 ○小橋和義（明大）・長田貴弘・生田目俊秀・山下良之（物質・材料研究機構）・小椋厚志（明大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2013-48 |
Siに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている．しかしながら、high... [more] | SDM2013-48 pp.25-28 |
| SDM | 2012-06-21 12:15 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価 ○木村将之（芝浦工大）・生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦・成島利弘・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大） |
フラットバンド電圧(Vfb）を制御するために、HfO2 MOSキャパシタのゲート電極として低仕事関数なAl原子を導入した... [more] | |
| SDM | 2011-07-04 15:00 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響 ○生田目俊秀（物質・材料研究機構）・山田博之（芝浦工大）・大井暁彦（物質・材料研究機構）・大石知司（芝浦工大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） SDM2011-64 |
ITO/HfO2/SiO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がフラットバンド電圧(Vfb)へ及ぼす影響を調べた。Cu... [more] | SDM2011-64 pp.81-85 |
| SDM | 2006-06-21 14:55 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-46 pp.25-30 |
| SDM | 2006-06-21 16:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
[more] | SDM2006-48 pp.37-41 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]