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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
09:35
北海道 札幌市男女共同参画センター 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
吉本秀輔寺田正治梅木洋平奥村俊介神戸大)・川澄 篤鈴木利一森脇真一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
 [more] SDM2012-64 ICD2012-32
pp.7-12
ICD 2012-04-24
13:00
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術
宮地幸祐東大)・鈴木利一パナソニック)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大
 [more] ICD2012-12
pp.61-66
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
ICD 2012-04-24
14:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 低電力ディスターブ緩和技術を備えた40nm 0.5V 12.9pJ/access 8T SRAM
吉本秀輔寺田正治奥村俊介神戸大)・鈴木利一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大
本論文では,低電圧かつ低消費電力な動作を実現可能な低電力ディスターブ緩和技術を提案する.提案技術は,プリチャージレスイコ... [more] ICD2012-14
pp.73-78
ICD 2011-04-19
11:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] ICD2011-12
pp.65-70
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:30
北海道 北海道大学 リード/ライト同時ディスターブ・アクセスに対して安定なSRAMセル設計手法
鈴木利一松下電器)・山内寛行福岡工大)・山上由展里見勝治赤松寛範松下電器
2ポートSRAMメモリセルは、リード/ライト同時ディスターブ・アクセスにおいても、メモリセルの動作マージンを保つ必要があ... [more] SDM2006-149 ICD2006-103
pp.137-141
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