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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
11:35
愛知 名古屋大学VBL3階 SiC溶液成長における貫通転位変換現象と高品質化
原田俊太山本祐治宇治原 徹名大
 [more]
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
13:15
愛知 名古屋工業大学 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係
前多悠也金 秀光谷奥雅俊渕 真悟宇治原 徹竹田美和山本尚人真野篤志中川靖英山本将博奥見正治中西 彊名大)・坂 貴大同工大)・堀中博道阪府大)・加藤俊宏大同特殊鋼ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
我々はこれまでにGaAs/GaAsP歪み超格子半導体フォトカソードにより、高輝度・高偏極度スピン偏極電子源の実現に成功し... [more] ED2008-16 CPM2008-24 SDM2008-36
pp.75-80
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
15:30
静岡 静岡大学 浜松キャンパス Er、O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5 μm帯の電流注入による発光強度増大
宇木大輔山口岳宏田中雄太渕 真悟宇治原 徹竹田美和名大
我々は Er,O共添加GaAsへの1.5 μm帯における電流注入によるレーザ発振を目指している。しかし、現状ではErから... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
14:50
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の偏極度向上
加藤鷹紀酒井良介谷奥雅俊中川靖英前田義紀金 秀光渕 真悟山本将博宇治原 徹中西 彊竹田美和名大
高偏極度・高量子効率の偏極電子源には半導体歪み超格子構造が有効である。我々は、さらなる量子効率の向上を目指し、歪み補償構... [more]
ED, CPM, SDM
(共催)
2006-05-19
11:15
愛知 豊橋技術科学大学VBL GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化
宇治原 徹陳 博安井健一酒井良介山本将博中西 彊竹田美和名大
 [more] ED2006-34 CPM2006-21 SDM2006-34
pp.79-84
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