お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-10-24
16:10
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 高速ビデオカメラを用いたマグネトロンスパッタリングプラズマの揺動現象の観察
山崎森太郎後藤哲也鈴木 学黒田理人須川成利東北大SDM2019-67
 [more] SDM2019-67
pp.69-72
SDM 2018-10-17
15:20
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F Low-Temperature Formation of Ohmic Contact for Si TFT Fabrication by Excimer Laser Doping with Phosphoric Acid Coating
Kaname ImokawaKyushu Univ)・Nozomu TanakaKyushu Univ.)・Akira SuwaKyushu Univ)・Daisuke NakamuraTaizoh SadohKyushu Univ.)・Tetsuya GotoNew Industry Creation Hatchery Center, Tohoku Univ.)・Hiroshi IkenoueKyushu UnivSDM2018-54
Si TFTのコンタクト抵抗形成には、イオン注入やCVDなどの真空、高温(~500度)のプロセスが必要とされ,プリンタブ... [more] SDM2018-54
pp.11-14
SDM 2017-10-25
14:50
宮城 東北大学未来研 局所的ストレス誘起ゲートリーク電流の統計的分布の解析とSi表面平坦化工程による低減
朴 賢雨・○黒田理人後藤哲也諏訪智之寺本章伸木本大幾須川成利東北大SDM2017-51
3種の異なるゲートサイズを有する多数のnMOSトランジスタのストレス誘起ゲートリーク電流(Stress Induced ... [more] SDM2017-51
pp.9-14
EA, ASJ-H
(共催)
2017-10-21
14:30
富山 牛岳温泉リゾート [ポスター講演]術中フリーラン筋電図定量評価の可能性
降旗建治後藤哲哉本郷一博信州大)・安本智志イチカワ
 [more] EA2017-52
pp.57-62
EA, ASJ-H
(共催)
2017-08-10
10:00
宮城 東北大学 電気通信研究所 外耳道内圧脈波による頭蓋内圧高低判別の可能性
降旗建治後藤哲哉本郷一博信州大)・小池徳男イチカワEA2017-34
頭蓋内圧を知るためには頭蓋内圧センサーを設置するか,脳室ドレナージ圧から類推したり,開頭外減圧した部分を触診したりするが... [more] EA2017-34
pp.41-46
EA, ASJ-H
(共催)
2017-08-10
10:25
宮城 東北大学 電気通信研究所 非侵襲的頭蓋内圧推定法に関する検討
降旗建治後藤哲哉本郷一博信州大)・小池徳男イチカワEA2017-35
現在まで,非侵襲・侵襲的頭蓋内圧(ICP)計測による臨床試験の患者数は40名(男性23名,女性17名,平均年齢56歳)で... [more] EA2017-35
pp.47-54
SDM 2016-10-27
10:50
宮城 東北大学未来研 動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究
間脇武蔵寺本章伸黒田理人市野真也後藤哲也諏訪智之須川成利東北大SDM2016-75
MOSFETの微細化に伴い、RTN(Random Telegraph Noise)の影響が顕在化している。 RTNの発生... [more] SDM2016-75
pp.35-38
SDM 2015-10-29
15:20
宮城 東北大学未来研 Xe/H2プラズマを用いたシリコン基板表面の低温平坦化技術
諏訪智之寺本章伸後藤哲也平山昌樹須川成利大見忠弘東北大SDM2015-73
MOSデバイスにおいてゲート絶縁膜とシリコンの界面の平坦性は,デイバス性能および動作信頼性に大きく影響する.近年開発が盛... [more] SDM2015-73
pp.13-16
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2015-10-30
10:50
宮城 東北大学未来研 酸素ラジカル処理を用いた強誘電体BiFeO3薄膜の形成技術
今泉文伸後藤哲也寺本章伸須川成利東北大SDM2015-78
将来の強誘電体メモリ、センサー、太陽電池に有効であるBiFeO3 (BFO)薄膜を、スパッタリングと酸素ラジカル処理を組... [more] SDM2015-78
pp.41-44
SDM 2015-10-30
14:30
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成
石井秀和東北大)・高橋健太郎住友大阪セメント)・後藤哲也須川成利大見忠弘東北大SDM2015-81
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し,その仕事関数を評価した.LaB6薄膜の仕事関数は,LaB6ターゲット中の窒... [more] SDM2015-81
pp.53-56
SDM 2015-10-30
15:30
宮城 東北大学未来研 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2015-83
 [more] SDM2015-83
pp.63-68
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2014-10-17
13:50
宮城 東北大学未来研 MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究
小原俊樹寺本章伸黒田理人米澤彰浩後藤哲也諏訪智之須川成利大見忠弘東北大SDM2014-93
アレイテスト回路を使用することで多数のサンプルにおいて,2準位以上のRandom Telegraph Noise(RTN... [more] SDM2014-93
pp.55-59
SDM 2013-10-18
10:00
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6薄膜のデバイス応用に関する検討
前田康貴大見俊一郎東工大)・後藤哲也大見忠弘東北大SDM2013-93
低仕事関数を有するLaB6は,窒素を添加することで酸化耐性が向上することが報告されている.本研究では窒素添加したLaB6... [more] SDM2013-93
pp.27-31
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-14
16:40
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積
廣江昭彦後藤哲也寺本章伸大見忠弘東北大ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15
マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si1-xGex (x~0.8)をSiO2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を... [more] ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15
pp.37-42
SDM 2007-10-05
13:35
宮城 東北大学 High Performance Accumulation Mode FD-SOI MOSFETs on Si(100) and (110) Surfaces
Weitao ChengAkinobu TeramotoRihito KurodaChingfoa TyeSyunichi WatabeTomoyuki SuwaTetsuya GotoFuminobu ImaizumiShigetoshi SugawaTadahiro OhmiTohoku Univ.SDM2007-187
 [more] SDM2007-187
pp.45-48
 17件中 1~17件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会