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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:50
ONLINE オンライン開催 完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証
南條拓真今澤貴史清井 明林田哲郎綿引達郎三浦成久三菱電機ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
 [more] ED2021-36 CPM2021-70 LQE2021-48
pp.95-98
MBE, NC
(併催)
2018-03-14
10:50
東京 機械振興会館 脳波による指の運動想起判別に関する検討
林 哲郎横山 寛カラベス エドアルド南部功夫和田安弘長岡技科大MBE2017-102
本研究の目的は,単試行の脳波による指の運動想起の判別を行うことができる可能性の検討を行うことである.指の運動想起と実運動... [more] MBE2017-102
pp.109-112
MBE, NC
(併催)
2017-03-13
11:15
東京 機械振興会館 実運動と運動想起における指運動の予測:脳波による検討
林 哲郎横山 寛南部功夫和田安弘長岡技科大MBE2016-84
本研究の目的は,非侵襲脳情報計測装置である脳波計(EEG;electroencephalogram)を用いて,どの指を運... [more] MBE2016-84
pp.9-14
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:45
京都 京大桂キャンパス プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作
南條拓真林田哲郎小山英寿今井章文古川彰彦山向幹雄三菱電機ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている.高出力スイッチング素... [more] ED2016-63 CPM2016-96 LQE2016-79
pp.31-34
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
16:25
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価
柳 永勲遠藤和彦大内真一産総研)・亀井貴弘明大)・塚田順一山内洋美石川由紀産総研)・林田哲郎明大)・坂本邦博松川 貴産総研)・小椋厚志明大)・昌原明植産総研SDM2010-151 ICD2010-66
ゲート長を20 nmまでスケーリングした微細FinFETにおけるしきい値電圧(Vt)のばらつきを系統的に評価し,結晶異方... [more] SDM2010-151 ICD2010-66
pp.149-154
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