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 45件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-01-29
14:10
東京 機械振興会館 [招待講演]Demonstration of high-speed switching, high thermal stability, and high endurance in 128Mb-density STT-MRAM by development of integration process
Hideo SatoTetsuo EndohTohoku Univ.
 [more]
ICD 2016-04-14
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計
小池洋紀三浦貞彦本庄弘明渡辺俊成佐藤英夫佐藤創志那須野 孝野口靖夫安平光雄谷川高穂丹羽正昭伊藤顕知池田正二大野英男遠藤哲郎東北大ICD2016-10
高密度1T-1MTJ STT-MRAM実現に最適な,高ばらつき耐性・高動作マージンリファレンス電圧(Vref)生成回路,... [more] ICD2016-10
pp.51-56
SDM 2015-06-19
13:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟白川裕規洗平昌晃名大)・影島愽之島根大)・遠藤哲郎東北大)・白石賢二名大SDM2015-45
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] SDM2015-45
pp.37-40
ICD 2015-04-17
13:55
長野 信州大学 [チュートリアル講演]不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用
羽生貴弘鈴木大輔望月 明夏井雅典鬼沢直哉東北大)・杉林直彦NEC)・池田正二遠藤哲郎大野英男東北大ICD2015-12
 [more] ICD2015-12
pp.57-61
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
14:55
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]待機電力重視アプリケーション向け90nm三端子MRAM混載不揮発マイクロコントローラ
崎村 昇辻 幸秀根橋竜介本庄弘明森岡あゆ香石原邦彦NEC)・木下啓藏深見俊輔東北大)・三浦貞彦NEC)・笠井直記遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大)・杉林直彦NECSDM2014-69 ICD2014-38
 [more] SDM2014-69 ICD2014-38
pp.39-44
SDM 2014-06-19
14:05
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー ナノ構造中における電子輸送の理論的研究
藤田弦暉塩川太郎筑波大)・高田幸宏東京理科大)・小鍋 哲筑波大)・村口正和東北大)・山本貴博東京理科大)・遠藤哲郎東北大)・初貝安弘筑波大)・白石賢二名大SDM2014-53
ナノスケールチャネル中における電子輸送について長距離電子間相互作用を考慮した計算を行った。 [more] SDM2014-53
pp.55-58
ICD 2014-04-17
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]1.5ns/2.1nsのランダム読出/書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM ~ 6T2MTJセルにバックグラウンド・書き込み方式を適用 ~
大澤 隆・○小池洋紀東北大)・三浦貞彦NEC)・木下啓蔵東北大)・本庄弘明NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-7
 [more] ICD2014-7
pp.33-38
ICD 2014-04-17
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]全文検索システム向け階層的パワーゲーティングを活用した低エネルギー不揮発TCAMエンジンチップ
松永翔雲東北大)・崎村 昇根橋竜介杉林直彦NEC)・夏井雅典・○望月 明遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2014-8
全文検索システムにおけるエネルギー消費を極限にまで低減させるため,90nm CMOS技術と垂直MTJ技術による1Mb不揮... [more] ICD2014-8
pp.39-44
ICD 2014-04-18
15:15
東京 機械振興会館 [依頼講演]MTJベース不揮発フリップフロップを用いた3μsec-Entry/Exit遅延時間のマイクロプロセッサ
小池洋紀東北大)・崎村 昇根橋竜介辻 幸秀森岡あゆ香三浦貞彦本庄弘明杉林直彦NEC)・大澤 隆池田正二羽生貴弘大野英男遠藤哲郎東北大ICD2014-17
磁気トンネル接合素子(MTJ)による不揮発記憶機能を持つフリップフロップ回路(NV-F/F)を用いた,パワーゲーティング... [more] ICD2014-17
pp.85-90
ICD 2013-04-11
13:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]Restructuring of Memory Hierarchy in Computing System with Spintronics-Based Technologies
Tetsuo EndohTohoku Univ.ICD2013-5
現在のコンピュータシステムのメモリ階層においては,性能と消費電力との間のトレードオフが大きくなっており,低消費電力かつ高... [more] ICD2013-5
pp.21-26
ICD 2013-04-11
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ~ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ~
遠藤哲郎大澤 隆小池洋紀東北大)・三浦貞彦本庄弘明徳留圭一NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男東北大ICD2013-6
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] ICD2013-6
pp.27-32
ICD 2013-04-11
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]4T-2MTJセル構造に基づく不揮発TCAMチップの実現
松永翔雲東北大)・三浦貞彦本庄弘明NEC)・木下啓蔵池田正二遠藤哲郎大野英男羽生貴弘東北大ICD2013-7
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Mem... [more] ICD2013-7
pp.33-38
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2013-9
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
ICD 2013-04-11
17:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスクICD2013-11
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] ICD2013-11
p.53
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
13:30
沖縄 沖縄県青年会館 The Asymmetric I-V Characteristics of Vertical MOSFET Induced by Tapered Silicon Pillar
Takuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.
In this paper, we show the asymmetric I-V characteristics in... [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
13:45
沖縄 沖縄県青年会館 A High Performance SRAM Sense Amplifier with Vertical MOSFET
Hyoungjun NaTetsuo EndohTohoku Univ.
In this paper, a high performance SRAM sense amplifier with ... [more]
ICD 2012-04-24
10:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ
根橋竜介崎村 昇辻 幸秀NEC)・深見俊輔東北大)・本庄弘明齊藤信作三浦貞彦石綿延行NEC)・木下啓蔵羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2012-10
3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリを開発した。90nmのCMOSプロセスを用いて作製した... [more] ICD2012-10
pp.49-54
CPM 2010-10-29
10:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2010-102
pp.55-58
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス The Analysis of Temperature Dependency of the Mobility In High-k/Metal Gate MOSFET and the Performance on its CMOS Inverter
Takeshi SasakiTakuya ImamotoTetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-92 SDM2010-93
As the integration density and capacitance of semiconductor ... [more] ED2010-92 SDM2010-93
pp.177-182
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:45
東京 東工大 大岡山キャンパス Evaluation of 1/f Noise Characteristics in High-k/Metal Gate and SiON/Poly-Si Gate MOSFET
Takuya ImamotoTakeshi SasakiTetsuo EndohTohoku Univ.ED2010-95 SDM2010-96
In this paper, we compare the 1/f noise characteristics of H... [more] ED2010-95 SDM2010-96
pp.195-198
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