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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2013-04-12 11:35 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計 ○畑中輝義（中大/東大）・上口 光・蜂谷尚悟・竹内 健（中大）  ICD2013-16 |
[more] | ICD2013-16 pp.79-84 |
| ICD | 2012-12-17 15:55 |
東京 | 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール | ［ポスター講演］ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路 ○中島祥斗（中大）・畑中輝義（中大/東大）・竹内 健（中大） ICD2012-93 |
[more] | ICD2012-93 p.29 |
| ICD | 2012-04-24 09:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム ○畑中輝義・竹内 健（東大） ICD2012-8 |
[more] | ICD2012-8 pp.37-42 |
| ICD | 2011-12-15 16:10 |
大阪 | 大阪大学会館 | ［ポスター講演］3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム ○畑中輝義・竹内 健（東大） ICD2011-117 |
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10 V~20 Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提... [more] | ICD2011-117 pp.81-86 |
| ICD | 2011-04-19 14:25 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討 ○畑中輝義・上口 光・石田光一・安福 正・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大） ICD2011-16 |
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(3D-SSD)向けに、書き込み電圧(20V)発生回路とTSVによる配線について議... [more] | ICD2011-16 pp.87-92 |
| ICD | 2010-12-17 10:20 |
東京 | 東京大学 先端科学技術研究センター | エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ ○畑中輝義・矢島亮児・野田晋司（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-118 |
低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提... [more] | ICD2010-118 pp.113-118 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 09:25 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | 単一セル自己昇圧法による10V動作，書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD ○宮地幸祐・野田晋司・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） SDM2010-139 ICD2010-54 |
強誘電体NANDフラッシュメモリにおける新規書き込み法として単一セル自己昇圧法（SCSB: Single-Cell Se... [more] | SDM2010-139 ICD2010-54 pp.83-88 |
| ICD, SDM (共催) |
2010-08-27 09:50 |
北海道 | 札幌エルプラザ内男女共同参画センター | NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ（SSD） ○畑中輝義・石田光一・安福 正（東大）・宮本晋示・中井弘人（東芝）・高宮 真・桜井貴康・竹内 健（東大） SDM2010-140 ICD2010-55 |
[more] | SDM2010-140 ICD2010-55 pp.89-94 |
| ICD | 2010-04-22 11:40 |
神奈川 | 湘南工大 | しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM ○田中丸周平・畑中輝義・矢島亮児（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-5 |
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され，実験的に実証された．提案のSRAMはNMOSの基板... [more] | ICD2010-5 pp.23-28 |
| ICD | 2010-04-23 09:30 |
神奈川 | 湘南工大 | [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ ○畑中輝義・矢島亮児（東大）・堀内健史・Shouyu Wang・Xizhen Zhang・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） ICD2010-11 |
データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを... [more] | ICD2010-11 pp.59-64 |
| ICD, SDM (共催) |
2009-07-16 14:25 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 | データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ ○矢島亮児・畑中輝義（東大）・高橋光恵・酒井滋樹（産総研）・竹内 健（東大） SDM2009-104 ICD2009-20 |
データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフ... [more] | SDM2009-104 ICD2009-20 pp.39-44 |
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