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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EMT, IEE-EMT
(連催)
2020-11-06
10:50
ONLINE オンライン開催 高誘電率ブロックと金属細線網からなる3次元等方性カイラルメタマテリアルの光学活性
岩佐惇平山口拓也上田哲也黒澤裕之高橋 駿京都工繊大)・伊藤龍男カリフォルニア大ロサンゼルス校EMT2020-41
本稿では,自由空間とのインピーダンス整合により反射損失が小さく,カイラリティの周波数分散の抑制により偏波回転角の分散が小... [more] EMT2020-41
pp.76-80
ICD, CPSY, CAS
(共催)
2017-12-14
15:10
沖縄 アートホテル石垣島 遺伝的アルゴリズムを用いた逆Fアンテナの設計手法に関する研究
山口琢矢道正志郎石原 昇伊藤浩之東工大)・中本裕之富士通研)・益 一哉東工大CAS2017-99 ICD2017-87 CPSY2017-96
本発表では、逆Fアンテナの新しいトポロジ探索手法と最適化手法について紹介する。アンテナパターンを生成する従来のタイリング... [more] CAS2017-99 ICD2017-87 CPSY2017-96
p.143
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
13:50
北海道 北海道大学情報教育館 しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価
山口拓哉奥 達哉関根かをり明大SDM2017-41 ICD2017-29
MOSFETの温度特性は回路の動作に大きな影響を与える。MOSFETはしきい電圧と移動度に温度依存性を持っているが、今回... [more] SDM2017-41 ICD2017-29
pp.77-82
SDM 2012-10-25
16:10
宮城 東北大学未来研 微小角入射X線回折法を用いたSiO2薄膜中の結晶相の評価
永田晃基山口拓也小椋厚志明大)・小金澤智之廣澤一郎高輝度光科学研究センター)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大SDM2012-91
SiO2薄膜の構造については、かねてより多角的な研究によりSiO2薄膜中にSi基板の結晶構造を反映した秩序が残留している... [more] SDM2012-91
pp.11-14
SDM 2011-10-21
09:50
宮城 東北大学未来研 32nmノードCMOSFETのチャネルひずみ評価
武井宗久橋口裕樹山口拓也小瀬村大亮明大)・永田晃基明大/学振)・小椋厚志明大SDM2011-104
歪技術はポストスケーリング時代のブースターテクノロジーとして実用化されている。しかし、その詳細なメカニズムおよび評価手法... [more] SDM2011-104
pp.43-48
SDM 2010-10-22
16:20
宮城 東北大学 原子スケールで平坦なSiO2/Si酸化膜界面歪の評価
服部真季明大)・小瀬村大亮明大/学振)・武井宗久永田晃基赤松弘彬富田基裕水上雄輝橋口裕樹山口拓也小椋厚志明大)・諏訪智之寺本章伸服部健雄大見忠弘東北大)・小金澤智之高輝度光科学研究センターSDM2010-170
原子スケールで平坦なSiO2/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために、ラマン分光法およびin-plane X線回折... [more] SDM2010-170
pp.71-75
WIT 2010-01-08
14:45
東京 芝浦工大(豊洲) 肢体不自由者に適したソフトウェアキーボードおよびポインティングデバイスによる文字入力方法の構築
山口卓哉新開大樹永井義満石津昌平青学大WIT2009-73
障害のあるユーザ向けのコンピュータへの文字入力手段の一つにソフトウェアキーボードがある.これはマウスなどのポインティング... [more] WIT2009-73
pp.29-34
CPM 2008-10-30
13:00
新潟 新潟大学 反応性スパッタ法によるCuInS2薄膜の作製と評価
山口拓也坪井 望新潟大)・大石耕一郎長岡高専)・小林敏志金子双男新潟大CPM2008-75
Cu及びInターゲット前での基板停止時間を原子層オーダー程度で制御し,反応性ガスCS2雰囲気中で各金属ターゲットを交互ス... [more] CPM2008-75
pp.1-6
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