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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, MWPTHz (共催) |
2023-12-22 14:20 |
宮城 | 東北大・通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
高抵抗炭素ドープGaNバッファを有するN極性GaN HEMT構造のMOCVD成長とデバイス特性評価 ○吉屋佑樹・星 拓也・堤 卓也・杉山弘樹・中島史人（NTT）  ED2023-63 MWPTHz2023-73 |
優れた高周波・ハイパワー特性を有するN極性GaN HEMTの実現には，結晶成長時の酸素取り込みに起因するGaNバッファの... [more] | ED2023-63 MWPTHz2023-73 pp.46-51 |
| SDM | 2022-06-21 16:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］WSe2 n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ ○川那子高暢・松﨑貴広・梶川亮介・宗田伊理也・星井拓也・角嶋邦之・筒井一生・若林 整（東工大） SDM2022-30 |
[more] | SDM2022-30 pp.23-26 |
| SDM | 2020-11-20 11:30 |
ONLINE | オンライン開催 | ［招待講演］Si IGBTの３次元デバイス・シミュレーション ～ 物理モデルの検討と実測結果との比較 ～ ○執行直之・渡辺正裕・角嶋邦之・星井拓也・古川和由（東工大）・中島 昭（産総研）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・若林 整・宗田伊里也（東工大）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2020-30 |
[more] | SDM2020-30 pp.36-40 |
| SDM | 2019-11-08 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大） SDM2019-77 |
トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシ... [more] | SDM2019-77 pp.45-48 |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2019-08-08 10:25 |
北海道 | 北海道大学 情報科学院 3F A31 | ［依頼講演］5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 ○平本俊郎・更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・齋藤 渉（九大）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・若林 整・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大） SDM2019-42 ICD2019-7 |
[more] | SDM2019-42 ICD2019-7 pp.31-34 |
| SDM | 2019-06-21 14:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 ○筒井一生（東工大）・松下智裕（高輝度光科学研究センター）・名取鼓太郞・小川達博（東工大）・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・森川良忠（阪大）・星井拓也・角嶋邦之・若林 整（東工大）・林 好一（名工大）・松井文彦（分子科学研）・木下豊彦（高輝度光科学研究センター） SDM2019-30 |
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] | SDM2019-30 pp.23-27 |
| SDM | 2019-01-29 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 ○更屋拓哉・伊藤一夫・高倉俊彦・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・附田正則（北九州市環境エレクトロニクス研）・沼沢陽一郎（明大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子・齋藤 渉（東芝）・角嶋邦之・星井拓也・古川和由・渡辺正裕・執行直之・筒井一生・岩井 洋（東工大）・小椋厚志（明大）・西澤伸一（九大）・大村一郎（九工大）・大橋弘通（東工大）・平本俊郎（東大） SDM2018-90 |
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] | SDM2018-90 pp.39-44 |
| ED, MW (共催) |
2018-01-25 16:35 |
東京 | 機械振興会館地下3階研修2号室 | SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善 ○白鳥悠太・星 拓也・井田 実・松崎秀昭（NTT） ED2017-96 MW2017-165 |
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ（DHBT... [more] | ED2017-96 MW2017-165 pp.15-18 |
| SDM | 2017-06-20 15:15 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 ○高山留美・星井拓也（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・大橋弘通・角嶋邦之・若林 整・筒井一生（東工大） SDM2017-27 |
[more] | SDM2017-27 pp.31-34 |
| LQE, OPE, OCS (共催) |
2016-10-28 11:30 |
宮崎 | 宮崎市民プラザ（宮崎） | 高速APDによる56Gbit/s 40km伝送 ○名田允洋・星 拓也・松崎秀昭（NTT） OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 |
(事前公開アブストラクト) 高速APDによる、５６Ｇｂｉｔ／ｓ NRZ信号の光アンプレス４０ｋｍ伝送に成功したので報告す... [more] | OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66 pp.87-90 |
| RCS, IT, SIP (共催) |
2016-01-19 10:35 |
大阪 | 関西学院大学(大阪梅田) | ホタルアルゴリズムを用いたビームフォーミング制御の一検討 ○星野拓也・樋口健一（東京理科大） IT2015-85 SIP2015-99 RCS2015-317 |
Massive MIMO (multiple-input multiple-output)では，ビームフォーミング(BF... [more] | IT2015-85 SIP2015-99 RCS2015-317 pp.203-206 |
| RCS | 2015-06-26 10:21 |
北海道 | 北海道大学 | Massive MIMOを用いた下りリンクセルラにおけるランダムビームフォーミングとコードブック型ビームフォーミングの特性比較 ○星野拓也・樋口健一（東京理科大） RCS2015-89 |
本稿では，Massive MIMO (multiple-input multiple-output)の使用を想定した下り... [more] | RCS2015-89 pp.253-256 |
| LQE, OPE (共催) |
2015-06-19 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用 ○名田允洋・星 拓也・山崎裕史・横山春喜・橋本俊和・松崎秀昭（NTT） OPE2015-19 LQE2015-29 |
光通信用高速アバランシェフォトダイオード（APD）の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] | OPE2015-19 LQE2015-29 pp.43-46 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 10:35 |
東京 | 機械振興会館 | MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ○星 拓也・杉山弘樹・横山春喜・栗島賢二・井田 実（NTT） ED2011-130 MW2011-153 |
通信トラフィックの増大に伴い、通信設備の電力消費量も増大し続けており、TIAのような光通信用トランシーバを構成するICの... [more] | ED2011-130 MW2011-153 pp.63-68 |
| SDM | 2010-06-22 14:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係 ○安田哲二・宮田典幸・卜部友二・石井裕之・板谷太郎・前田辰郎（産総研）・山田 永・福原 昇・秦 雅彦（住友化学）・大竹晃浩（物質・材料研究機構）・星井拓也・横山正史・竹中 充・高木信一（東大） SDM2010-42 |
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] | SDM2010-42 pp.49-54 |
| EMCJ | 2006-12-15 11:20 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 出力遅延制御処理を用いた電磁障害対策用適応型ノイズフィルタの検討 ○鈴木康直（NTT）・星野拓哉・高部政志・服部光男（NTT-AT）・馬杉正男（NTT） EMCJ2006-86 |
適応型ノイズフィルタは, 発生したノイズを観測信号として, その逆位相変動を適応的に生成・印加する概念をベースとしており... [more] | EMCJ2006-86 pp.31-34 |
| EMCJ, MW (共催) |
2004-10-28 - 2004-10-29 |
岩手 | 岩手大学 | 自由空間の正規化サイト減衰量を用いたシールド効果測定方法と従来法の比較 ○星野拓哉・佐藤 保（NTT-AT）・佐尾政春・富永哲欣（NTT） |
電磁シールドルームのシールド効果測定評価法として IEEEstd.299-1997等の透過損失法やIEC TS 6158... [more] | |
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