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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2022-08-04
13:30
北海道 北見工業大学 [招待講演]植物からワクチンを生産するための第一歩 ~ ベンサミアナタバコの水耕栽培に関して ~
武山真弓東工大/北見工大)・村上 輝佐藤 勝北見工大)・虎島史歩鹿島光司大場隆之東工大CPM2022-11
 [more] CPM2022-11
pp.1-2
SDM 2021-02-05
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]3D冗長とWafer-on-Wafer(WOW) テクノロジを用いたBumpless-Build-Cube(BBCube)
菅谷慎二中條徳男作井康司良尊弘幸中村友二大場隆之東工大SDM2020-61
縦方向にメモリブロックを入れ替える”3D冗長”のアプリケーションとしてBBCubeへの応用を示す.既存のknown-go... [more] SDM2020-61
pp.27-32
CPM 2019-11-07
13:30
福井 福井大学 文京キャンパス ハイパー/マルチスペクトルカメラを利用した人工光下における植物生育障害の早期発見手法の開発
鹿島光司虎島史歩伊藤浩之深水克郎大場隆之東工大
 [more]
SDM 2014-02-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価
水島賢子富士通研/東工大)・金 永ソク東工大/ディスコ)・中村友二富士通研)・杉江隆一橋本秀樹東レリサーチセンター)・上殿明良筑波大)・大場隆之東工大SDM2013-167
10 um以下まで薄化したウェハを用いたバンプレスの積層技術を開発している。極薄膜のデバイスを積層するには、裏面研削がS... [more] SDM2013-167
pp.13-18
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
13:00
石川 金沢大学 角間キャンパス [招待講演]Tera-Scale Three-Dimensional Integration (3DI) using Bumpless TSV Interconnects
Takayuki OhbaTokyo Inst. of Tech.SDM2013-70 ICD2013-52
 [more] SDM2013-70 ICD2013-52
pp.29-30
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
15:40
石川 金沢大学 角間キャンパス [パネル討論]3D Integration:何を、いつから期待する?
益 一哉東工大)・池田博明ASET)・永田 真神戸大)・高橋健司東芝)・大場隆之東工大)・鈴木大介Pezy ComputingSDM2013-73 ICD2013-55
 [more] SDM2013-73 ICD2013-55
p.41
SDM 2012-03-05
15:25
東京 機械振興会館 Si貫通ビア(TSV)の側壁ラフネスに起因したリーク電流特性とビア応力の関係
北田秀樹東大/富士通研)・前田展秀藤本興冶児玉祥一金 永束東大)・水島賢子東大/富士通研)・中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2011-183
 [more] SDM2011-183
pp.41-46
SDM 2012-03-05
15:55
東京 機械振興会館 Wafer-on-wafer構造における貫通Si電極周辺の局所歪の評価
中塚 理名大)・北田秀樹金 永束東大)・水島賢子中村友二富士通研)・大場隆之東大)・財満鎭明名大SDM2011-184
Wafer-on-wafer技術の応用に向けて,積層した薄化Si層内部における局所歪構造を,顕微ラマン分光法およびX線マ... [more] SDM2011-184
pp.47-52
SDM 2011-02-07
15:25
東京 機械振興会館 3次元積層技術における低温バンプレスTSVプロセス
北田秀樹前田展秀東大)・藤本興治大日本印刷)・水島賢子中田義弘中村友二富士通研)・大場隆之東大SDM2010-224
低温プラズマCVDを用いたCu貫通ビア(TSV)製造のCu拡散の挙動を評価した。成膜温度が150℃の低温-PECVD法で... [more] SDM2010-224
pp.49-53
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
10:15
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター [招待講演]実デバイス基板を用いたサブ10ミクロンの薄化技術の開発
前田展秀金 永ソク東大)・彦坂幸信恵下 隆富士通セミコンダクター)・北田秀樹藤本興治東大)・水島賢子富士通研)・鈴木浩助大日本印刷)・中村友二富士通研)・川合章仁荒井一尚ディスコ)・大場隆之東大SDM2010-141 ICD2010-56
200mmおよび300mmのデバイスウェハーを10μm以下のレベルまで薄化した.裏面研削後にできる200nmの非結晶層は... [more] SDM2010-141 ICD2010-56
pp.95-97
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