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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2015-07-24
15:35
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) SiC MOSFET特性の基板不純物濃度依存性
矢野裕司奈良先端大/筑波大)・結城広登冬木 隆奈良先端大ED2015-41
基板不純物濃度が異なるSi面4H-SiCに対し、ドライ酸化後にNOアニールまたはPOCl3アニールを行って界面特性を改善... [more] ED2015-41
pp.25-29
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
11:30
京都 京都大学 ボロン含有シリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる高効率シリコン太陽電池への応用
真鍋満顕阪川秀紀西村英紀奈良先端大)・富澤由香池田吉紀帝人)・冬木 隆奈良先端大EID2014-19 SDM2014-114
BSG (ボロンシリケートガラス) を用いたレーザードーピングでは、基板との溶融・再結晶が難しいため、高濃度なボロンドー... [more] EID2014-19 SDM2014-114
pp.31-35
SDM 2013-12-13
10:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価
福永圭吾畑山智亮矢野裕司岡本尚文谷 あゆみ石河泰明冬木 隆奈良先端大SDM2013-119
シリコンナノワイヤー(Si-NW)は量子効果によるバンドギャップ制御、表面テクスチャー構造として反射率の低減が可能である... [more] SDM2013-119
pp.19-23
SDM 2013-12-13
10:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製
山本悠貴西村英紀岡村隆徳福永圭吾冬木 隆奈良先端大SDM2013-121
n型シリコン基板を用いた太陽電池作製において拡散係数の低いボロンのドープは従来の拡散プロセスでは難しい。そこで局所的にド... [more] SDM2013-121
pp.31-35
SDM 2013-12-13
11:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製
岡村隆徳西村英紀冬木 隆奈良先端大)・富澤由香池田吉紀帝人SDM2013-122
レーザードーピングはフォトリソグラフィーなどによるマスクなしで簡便に局所的な不純物ドープが可能であるため,セレクティブエ... [more] SDM2013-122
pp.37-41
SDM 2013-12-13
17:00
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察
金藤夏子矢野裕司大澤 愛畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-132
シリコンカーバイド(SiC)製MOSFETは高耐圧でも低損失な新しいパワーデバイスとして期待されているが,しきい値電圧の... [more] SDM2013-132
pp.97-100
SDM 2013-12-13
17:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 三フッ化塩素(ClF3)を用いた炭化珪素(SiC)表面の形状変化
堀 良太畑山智亮矢野裕司冬木 隆奈良先端大SDM2013-134
三フッ化塩素を用いてプラズマレスで4°オフ角の炭化珪素ウエーハを化学的にエッチングした。 (0001)Si面および(00... [more] SDM2013-134
pp.107-112
SDM 2013-06-18
15:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]POCl3アニールによるSiC-MOSデバイスの高性能化
矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2013-58
POCl3アニールによりSiO2/4H-SiC界面にリンを導入したMOSデバイスの特性を調査した。従来法のNOアニールに... [more] SDM2013-58
pp.71-76
SDM 2012-12-07
10:15
京都 京都大学(桂) 塩素系ガスによるSiCのプラズマレス・エッチング
畑山智亮堀 良太田村哲也矢野裕司冬木 隆奈良先端大SDM2012-116
900℃以上の塩素ガス雰囲気中でプラズマを使わずにSiCをエッチングした。Si原子で終端された(0001)Si面ではエッ... [more] SDM2012-116
pp.7-12
SDM 2012-12-07
10:45
京都 京都大学(桂) 4H-SiC(11-20)面上に形成したMOS界面へのリン導入による界面準位密度の低減効果
梅澤奈央矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2012-118
これまで、POCl3アニールによりPをSiO2/4H-SiC界面に導入することで、Si面・C面ともに優れた界面準位密度の... [more] SDM2012-118
pp.19-23
SDM 2012-12-07
14:15
京都 京都大学(桂) レーザードーピングで形成したエミッタ層及びセレクティブエミッタ層の深さ制御とその太陽電池特性
田中成明西村英紀冬木 隆奈良先端大SDM2012-128
 [more] SDM2012-128
pp.77-81
SDM 2012-12-07
14:30
京都 京都大学(桂) テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板―ドーパント間の界面制御による電子状態の改善
西村英紀田中成明森崎翔太湯本伸伍冬木 隆奈良先端大SDM2012-129
レーザードーピング(LD)は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを... [more] SDM2012-129
pp.83-87
SDM 2012-12-07
14:45
京都 京都大学(桂) レーザードーピング法を用いたn型単結晶シリコン太陽電池の高効率化
森崎翔太西村英紀杉村恵美冬木 隆奈良先端大SDM2012-130
 [more] SDM2012-130
pp.89-93
SDM 2012-12-07
15:15
京都 京都大学(桂) 連続発振レーザーにより形成した電極下高濃度不純物層を有する結晶系シリコン太陽電池の最適化
湯本伸伍西村英紀平田憲司杉村恵美冬木 隆奈良先端大SDM2012-131
レーザードーピング(LD)は、低コストで高効率な結晶シリコン太陽電池を作製する新規プロセスとして注目されている。LDは太... [more] SDM2012-131
pp.95-99
SDM 2012-12-07
15:45
京都 京都大学(桂) 結晶系Si太陽電池による逆方向エレクトロルミネッセンス法を用いた電気的特性の解析
杉村恵美嶋崎成一谷 あゆみ冬木 隆奈良先端大SDM2012-133
太陽電池の空間的な欠陥評価法としてエレクトロルミネッセンス(EL)イメージング法が注目されている。順方向バイアス印加時の... [more] SDM2012-133
pp.107-111
SDM 2011-12-16
10:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果
高上稔充矢野裕司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2011-134
MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2... [more] SDM2011-134
pp.11-15
SDM 2010-12-17
11:20
京都 京都大学(桂) 多結晶シリコン太陽電池の作製における室温レーザードーピング
長谷川光洋平田憲司高山 環舟谷友宏冬木 隆奈良先端大SDM2010-189
近年、次世代クリーンエネルギーとして太陽電池の需要が世界的に急増している。それに伴い、シリコン原料の不足やコスト削減とい... [more] SDM2010-189
pp.25-28
SDM 2010-12-17
11:40
京都 京都大学(桂) 結晶系シリコン太陽電池におけるドーパントプレカーサー制御によるレーザードーピングプロセスの最適化
舟谷友宏平田憲司高山 環長谷川光洋冬木 隆奈良先端大SDM2010-190
近年、シリコン太陽電池の低コスト化と高効率化の2つの要素を可能とするプロセスの開発が急務であり、その1つとしてレーザード... [more] SDM2010-190
pp.29-32
SDM 2009-12-04
09:40
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減
岡本 大矢野裕司平田憲司畑山智亮冬木 隆奈良先端大SDM2009-152
4H-SiC MOS界面に種々の元素をイオン注入により導入し,界面準位密度の変化を調べた. B, N, F, Al, P... [more] SDM2009-152
pp.5-10
SDM 2008-12-05
13:50
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価
入船裕行矢野裕司浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大SDM2008-189
我々は,これまでにバイオナノドット(BND)を電荷保持ノードとしたフローティングゲート型メモリの開発を行ってきた.本研究... [more] SDM2008-189
pp.27-30
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