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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, LQE, OCS
(共催)
2019-11-11
16:20
東京 機械振興会館 [特別招待講演]SOA集積電界吸収型光変調光源(AXEL)による106Gbit/s PAM4 60 km伝送
進藤隆彦藤原直樹金澤 慈名田允洋吉松俊英神田 淳陳 明晨大礒義孝佐野公一松崎秀昭NTTOCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74
(事前公開アブストラクト) 高出力パワーを特徴とするAXELチップと、高感度を特徴とするAPDチップを用いファイバアンプ... [more] OCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74
pp.33-36
LQE, OCS, OPE
(共催)
2019-05-13
15:50
東京 機械振興会館 B3階 研修2 [招待講演]OFC2019報告 ~光デバイス関連~
進藤隆彦NTTOCS2019-6 OPE2019-6 LQE2019-6
(事前公開アブストラクト)  [more] OCS2019-6 OPE2019-6 LQE2019-6
pp.23-26
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
15:50
東京 慶應義塾大学 [招待講演]2-um-band tunable laser for CO2 gas sensing
Yuta UedaTakahiko ShindoTakuya KanaiMakoto ShimokozonoNaoki FujiwaraNTT)・Hiroyuki Ishiiformer NTT)・Hideaki MatsuzakiNTTOPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20
 [more] OPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20
pp.35-38
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
14:10
石川 山代温泉葉渡莉 28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)
進藤隆彦小林 亘長谷部浩一藤原直樹吉松俊英金澤 慈大野哲一郎三条広明大礒義孝石井啓之曽根由明松崎秀昭NTTLQE2017-17
 [more] LQE2017-17
pp.69-72
LQE 2016-12-16
10:30
東京 機械振興会館 L帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)による伝送距離延伸および高出力動作化
進藤隆彦小林 亘藤原直樹大礒義孝長谷部浩一石井啓之井藤幹隆NTTLQE2016-97
 [more] LQE2016-97
pp.5-8
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-28
09:35
青森 青森県観光物産館アスパム 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価
進藤隆彦小林 亘小木曽義弘藤原直樹伊賀龍三大礒義孝石井啓之NTTR2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有... [more] R2015-37 EMD2015-45 CPM2015-61 OPE2015-76 LQE2015-45
pp.73-76
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-23
16:50
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) SI-InP基板上InGaAlAs DMLの差動25.8 Gb/s 30nm波長範囲動作
小林 亘藤澤 剛都築 健大礒義孝金澤 慈進藤隆彦山中孝之三条広明NTTPN2013-58 OPE2013-172 LQE2013-158 EST2013-107 MWP2013-78
100Gb/sを超える大容量光源の実現を目指し,直接変調レーザのモノリシックアレイ集積の検討を行った.同一基板に作製した... [more] PN2013-58 OPE2013-172 LQE2013-158 EST2013-107 MWP2013-78
pp.129-134
LQE 2013-12-13
13:10
東京 機械振興会館 [奨励講演]オンチップ光配線に向けた半導体薄膜レーザの低しきい値動作への進展
進藤隆彦二見充輝土居恭平平谷拓生雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2013-130
LSI内のグローバル配線層の代替として、我々はこれまで半導体薄膜構造を用いたオンチップ光集積回路を提案してきた。オンチッ... [more] LQE2013-130
pp.27-32
LQE 2012-12-13
10:25
東京 機械振興会館 GaInAsP/InP横方向電流注入型半導体薄膜レーザの低しきい値動作化
進藤隆彦二見充輝土居恭平雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2012-123
LSIの微細化・高速化に伴い、素子間の配線におけるRC遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念さ... [more] LQE2012-123
pp.9-14
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-23
15:15
宮城 東北大学電気通信研究所 GaInAsP/InP半導体薄膜DFBレーザの電流注入動作と熱特性解析
土居恭平進藤隆彦二見充輝雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33
我々は、オンチップ光インターコネクション用の光源として半導体薄膜(membrane)DFBレーザを提案してきた。半導体薄... [more] R2012-29 EMD2012-35 CPM2012-60 OPE2012-67 LQE2012-33
pp.41-46
PN 2011-02-28
14:20
鹿児島 KKR鹿児島敬天閣 [奨励講演]メタフォトニクス素子 ~ 導波路型光デバイスにおける透磁率制御の可能性 ~
雨宮智宏進藤隆彦高橋大佑明賀聖慈西山伸彦荒井滋久東工大PN2010-64
本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる “メタマテリアル” ... [more] PN2010-64
pp.45-48
LQE 2010-12-17
11:10
東京 機械振興会館 a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ
進藤隆彦奥村忠嗣伊藤 瞳小口貴之高橋大佑渥美裕樹姜 ジュンヒョン長部 亮雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大LQE2010-118
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] LQE2010-118
pp.17-22
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
18:05
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの光注入同期
李 承勲東工大)・Devang Parekhカリフォルニア大)・進藤隆彦東工大)・Weijian YangPeng Guoカリフォルニア大)・高橋大佑田島典明西山伸彦東工大)・Connie J. Chang-Hasnainカリフォルニア大)・荒井滋久東工大PN2009-49 OPE2009-187 LQE2009-169
我々は活性層を細線状に加工した活性DFB領域と受動DBR領域からなる分布反射型(DR)レーザを提案・実現し、その低しきい... [more] PN2009-49 OPE2009-187 LQE2009-169
pp.75-80
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
13:50
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 負の屈折率層を有する導波路型光デバイスの検証 ~ 金SRRアレイを有するInPベースの1×1MMIにおける透過特性 ~
雨宮智宏進藤隆彦高橋大佑西山伸彦荒井滋久東工大PN2009-58 OPE2009-196 LQE2009-178
本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる「メタマテリアル」の概... [more] PN2009-58 OPE2009-196 LQE2009-178
pp.123-128
OPE 2009-12-18
14:15
東京 機械振興会館 光通信帯における左手系光制御素子の設計
雨宮智宏進藤隆彦高橋大祐西山伸彦荒井滋久東工大OPE2009-164
本研究は、従来の化合物半導体をベースとした導波路型光素子に、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できる「メタマテリアル」の概... [more] OPE2009-164
pp.19-24
LQE 2009-05-22
09:25
富山 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 細線状活性層を有する分布反射型(DR)レーザの進展 ~ 高効率・低しきい値動作と強戻り光耐性 ~
進藤隆彦李 承勲田島典明高橋大佑東工大/理研)・西山伸彦理研)・荒井滋久東工大/理研LQE2009-3
 [more] LQE2009-3
pp.13-18
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