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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 13:55 |
ONLINE | オンライン開催 | Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定 ○小笠原健太（金沢工大）・坂井繁太・奥村忠嗣・難波江宏一（ウシオ電機）・山口敦史（金沢工大）  ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 |
InGaNはInNとGaNの混晶であり，In組成を変化させることで理論上では可視光のあらゆる波長領域で発光可能な半導体材... [more] | ED2021-21 CPM2021-55 LQE2021-33 pp.33-36 |
| OPE | 2015-12-10 16:05 |
石川 | しいのき迎賓館 | シリコンモノリシック集積光源に向けたゲルマニウム導波路の伝搬特性解析 ○奥村忠嗣・小田克矢・葛西淳一・佐川みすず・諏訪雄二（日立） OPE2015-141 |
[more] | OPE2015-141 pp.11-14 |
| OPE | 2015-12-11 12:00 |
石川 | しいのき迎賓館 | 1310nm帯25Gbpsシリコンフォトニクス光送信器/CMOS受信器を用いた2km SMF/100m OM3-MMFエラーフリー伝送 ○若山雄貴・奥村忠嗣・佐川みすず・松岡康信・有本英生（日立）・須永義則（日立金属） OPE2015-146 |
1310 nm帯シリコンフォトニクス光変調器とレンズ集積InGaAs面型受光器を用いSMF 2 km伝送，およびOM3-... [more] | OPE2015-146 pp.35-38 |
| OCS, OPE, LQE (共催) |
2014-10-30 16:20 |
長崎 | 長崎歴史文化博物館 | マルチモードファイバを用いた25Gbpsインターコネクト用面入射型Geフォトダイオード ○奥村忠嗣・若山雄貴・松岡康信・小田克矢・佐川みすず・竹本享史・野本悦子・有本英生・田中滋久（日立） OCS2014-65 OPE2014-109 LQE2014-83 |
マルチモードファイバとシリコンフォトニクス技術を用いた低コストな光インターコネクトに向けて、面入射型ゲルマニウムフォトダ... [more] | OCS2014-65 OPE2014-109 LQE2014-83 pp.123-126 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-30 16:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究 ○谷 和樹・斎藤慎一・小田克矢（光電子融合基盤技研）・奥村忠嗣・峰 利之（日立）・井戸立身（光電子融合基盤技研） ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 |
Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して， Ge単結晶成長技術の開発と，Ge発光素子の試作検討を行った．... [more] | ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119 pp.121-124 |
| LQE | 2010-12-17 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si表面回折格子を有する1550nm波長帯横方向電流注入型DFBレーザ ○進藤隆彦・奥村忠嗣・伊藤 瞳・小口貴之・高橋大佑・渥美裕樹・姜 ジュンヒョン・長部 亮・雨宮智宏・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2010-118 |
LSIの高速化に伴い、現在のグローバル配線層における遅延や発熱といった問題が将来的にLSI全体の性能を律速すると懸念され... [more] | LQE2010-118 pp.17-22 |
| LQE | 2009-12-11 14:15 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 半絶縁性基板上GaInAsP/InP横注入薄膜コアレーザの室温連続動作 ○奥村忠嗣・伊藤 瞳・近藤大介・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2009-147 |
[more] | LQE2009-147 pp.45-50 |
| LQE | 2008-12-12 14:35 |
東京 | 機械振興会館 地下3階2号室 | 半導体薄膜レーザ実現に向けた半絶縁性基板上GaInAsP薄膜への横注入型レーザ ○奥村忠嗣・黒川宗高・白尾瑞基・近藤大介・伊藤 瞳・西山伸彦・荒井滋久（東工大） LQE2008-137 |
[more] | LQE2008-137 pp.47-52 |
| OPE, LQE (共催) |
2008-06-27 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ ○奥村忠嗣（東工大）・丸山武男（東工大/JST/金沢大）・米澤英徳・西山伸彦（東工大）・荒井滋久（東工大/JST） OPE2008-28 LQE2008-29 |
[more] | OPE2008-28 LQE2008-29 pp.45-50 |
| LQE, OPE (共催) |
2007-06-29 11:10 |
東京 | 機械振興会館 | エアブリッジ構造を用いたGaInAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザ ○内藤秀幸・阪本真一・大竹 守・奥村忠嗣（東工大）・丸山武男（東工大/JST）・西山伸彦（東工大）・荒井滋久（東工大/JST） OPE2007-20 LQE2007-21 |
[more] | OPE2007-20 LQE2007-21 pp.19-22 |
| LQE | 2006-12-08 09:55 |
東京 | 機械振興会館 | 直接貼り付け法によるSOI基板上GaInAsP/InP半導体薄膜レーザ ○奥村忠嗣（東工大）・丸山武男（東工大/JST）・阪本真一・西本頼史（東工大）・荒井滋久（東工大/JST） |
[more] | LQE2006-104 pp.7-12 |
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