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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2017-04-20 14:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立）  ICD2017-7 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | ICD2017-7 pp.35-38 |
| SDM | 2017-01-30 13:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS ○津田是文・川嶋祥之・園田賢一郎・吉冨敦司・三原竜善・鳴海俊一・井上真雄・村中誠志・丸山隆弘・山下朋弘・山口泰男（ルネサス エレクトロニクス）・久本 大（日立） SDM2016-134 |
世界初のFinFET構造を有するスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリの作製，動作について報告する．FinFET構... [more] | SDM2016-134 pp.17-20 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-18 15:25 |
北海道 | 北海道大学 | 多値フラッシュメモリのスケーリングにおけるランダム・テレグラフ・シグナルの影響 ○倉田英明・大津賀一雄・小田部 晃・梶山新也・長部太郎・笹子佳孝（日立）・鳴海俊一・冨上健司・蒲原史朗・土屋 修（ルネサステクノロジ） |
フラッシュメモリにおいて、ランダム・テレグラフ・シグナル (RTS) による閾値変動を初めて確認した。 90nmプロセス... [more] | SDM2006-153 ICD2006-107 pp.161-166 |
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