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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SS | 2017-03-09 11:25 |
沖縄 | てんぶす那覇 | バグ予測に向けたJavaメソッドの名前と実装の特徴の関係に関する考察 ○鈴木 翔・阿萬裕久・川原 稔（愛媛大）  SS2016-64 |
本稿では，Javaプログラムにおけるメソッドについて， その名前といくつかの実装上の特徴に着目した品質評価法に関する検... [more] |
SS2016-64 pp.25-30 |
| IE, ITS (共催) ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME, ITE-MMS, ITE-CE (共催) (連催) [詳細] |
2017-02-20 10:30 |
北海道 | 北海道大学 | オンライン動画学習サービスにおける閲覧数・離脱率の推定 ○福島悠介・山崎俊彦・相澤清晴（東大）・森 健志郎・鈴木顕照（Schoo） |
近年，UdacityやCourseraといったインターネット上で誰もが講義を受講できるサービス（Massive Open... [more] | |
| KBSE, SS (共催) IPSJ-SE (連催) [詳細] |
2016-07-14 16:50 |
北海道 | 北海道立道民活動センター | メソッド名の長さと構成に着目したソースコード品質に関する定量的調査 ○鈴木 翔・阿萬裕久・川原 稔（愛媛大） SS2016-14 KBSE2016-20 |
[more] | SS2016-14 KBSE2016-20 pp.137-142 |
| SID-JC, IEIJ-SSL (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2016-01-29 10:20 |
富山 | 富山大学 | AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作 ○武島歩志・光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・菊池昭彦・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2015-36 |
[more] | EID2015-36 pp.89-91 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:02 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | トップダウンによる三角形状GaNマイクロディスクの光学特性に関する検討 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-53 |
一辺1.5 umから4.4 um、高さ1.2 um程度の三角形状GaNマイクロディスクを三角格子状に配列したマイクロディ... [more] | EID2014-53 pp.103-105 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2015-01-23 11:10 |
京都 | 龍谷大学響都ホール校友会館 | 六角形状GaNマイクロディスクレーザの光放射特性の検討 ○光野徹也・鈴木 翔（静岡大）・酒井 優（山梨大）・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2014-54 |
六角形状GaNマイクロディスクとは一辺が1.5um、厚さ250nm程度の高品質GaN結晶である。本構造はウィスパリングモ... [more] | EID2014-54 pp.107-109 |
| IEIJ-SSL, SID-JC (共催) EID, ITE-IDY, IEE-EDD (連催) [詳細] |
2014-01-24 14:26 |
新潟 | 新潟大学 駅南キャンパス | トップダウンによる六角形状GaNマイクロディスクアレイからの光励起発振 ○鈴木 翔・光野徹也（静岡大）・山野晃司・岸野克巳（上智大）・原 和彦（静岡大） EID2013-15 |
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5 um、高さ900 nm程度の六角形... [more] | EID2013-15 pp.29-31 |
| SS | 2010-08-05 16:00 |
北海道 | 旭川市民文化会館 | 高階書換え系における引数切り落とし法と実効規則 ○鈴木 翔・草刈圭一朗（名大）・フレデリック ブランキ（INRIA） SS2010-24 |
静的依存対法は高階書換え系の停止性証明法である． この手法は一階の書換え系上で提案された依存対法と型付き$\lambd... [more] |
SS2010-24 pp.47-52 |
| SS | 2009-12-17 15:50 |
香川 | 香川大学幸町キャンパス | 高階書換え系における引数切り落とし法と実効規則 ○鈴木 翔・草刈圭一朗・坂部俊樹・酒井正彦・西田直樹（名大） SS2009-39 |
項書換え系（TRS）の拡張として高階関数を直接扱える単純型付き項書換え系（STRS）や さらに$\lambda$抽象も... [more] |
SS2009-39 pp.25-30 |
| SDM | 2007-06-08 13:35 |
広島 | 広島大学（学士会館） | Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御 ○喜多浩之・能村英幸・鈴木 翔・高橋俊岳・西村知紀・鳥海 明（東大） SDM2007-47 |
High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている．HfO2/Geは600℃での... [more] | SDM2007-47 pp.85-90 |
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