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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2021-01-29
14:25
ONLINE オンライン開催 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化
熊崎祐介多木俊裕小谷淳二尾崎史朗富士通/富士通研)・新井田佳孝富士通研)・美濃浦優一富士通/富士通研)・西森理人富士通)・岡本直哉富士通/富士通研)・佐藤 優中村哲一富士通研)・渡部慶二富士通/富士通研ED2020-34 MW2020-87
 [more] ED2020-34 MW2020-87
pp.34-37
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2015-07-24
14:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38
 [more] ED2015-38
pp.9-13
MW, ED
(共催)
2015-01-16
10:40
東京 機械振興会館 X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発
新井田佳孝鎌田陽一多木俊裕尾崎史朗牧山剛三岡本直哉佐藤 優増田 哲渡部慶二富士通研ED2014-127 MW2014-191
 [more] ED2014-127 MW2014-191
pp.59-63
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)の... [more] ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
pp.81-84
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
15:50
大阪 大阪市立大学 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減
尾崎史朗多木俊裕金村雅仁今田忠紘中村哲一岡本直哉宮島豊生吉川俊英富士通研ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT:Hi... [more] ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103
pp.41-44
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪 阪大 中ノ島センター ミリ波高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
 [more] ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
pp.51-54
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