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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
15:00
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性
星 真一伊藤正紀丸井俊治大来英之森野芳昭玉井 功戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
シリコン基板上GaN-HEMTを用いた高周波高出力電力増幅デバイスについて検討した。デバイスの高周波化を妨げるGaNエピ... [more] ED2009-157 CPM2009-131 LQE2009-136
pp.139-144
ED 2009-06-12
11:00
東京 東京工業大学 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性
丸井俊治星 真一戸田典彦森野芳昭伊藤正紀大来英之玉井 功関 昇平OKIED2009-47
近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlG... [more] ED2009-47
pp.57-62
MW, ED
(共催)
2009-01-15
11:20
東京 機械振興会館 高抵抗シリコン基板上低損失コプレーナ線路の構造
槇田毅彦玉井 功星 真一関 昇平OKIED2008-209 MW2008-174
半絶縁性化合物基板並みの減衰定数を有する低損失線路の実現を目指し、高抵抗シリコン基板上コプレーナ線路(CPW)を作製し、... [more] ED2008-209 MW2008-174
pp.65-70
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
14:50
北海道 かでる2・7(札幌) 熱CVD成長SiN保護膜を用いたSiC基板上AlGaN/GaN-HEMT
大来英之星 真一丸井俊治伊藤正紀戸田典彦森野芳昭玉井 功佐野芳明関 昇平OKIED2008-105 SDM2008-124
 [more] ED2008-105 SDM2008-124
pp.341-345
ED, MW
(共催)
2008-01-16
13:50
東京 機械振興会館 熱CVD成長SiN表面保護膜のAlGaN/GaN HEMT電気特性への影響
丸井俊治星 真一森野芳昭伊藤正紀玉井 功戸田典彦大来英之佐野芳明関 昇平OKIED2007-208 MW2007-139
AlGaN/GaN HEMTにおけるAlGaN表面準位に起因した電流コラプスの抑制手段として、熱CVD成長SiN膜を表面... [more] ED2007-208 MW2007-139
pp.11-15
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:50
京都 京都大学 Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
大来英之見田充郎佐野芳明丸井俊治伊藤正紀星 真一戸田典彦関 昇平OKI)・江川孝志名工大
 [more] ED2006-154 CPM2006-91 LQE2006-58
pp.13-18
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