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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2022-06-21 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［招待講演］酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 ○柴山茂久・土井拓馬・坂下満男・田岡紀之（名大）・清水三聡（産総研）・中塚 理（名大）  SDM2022-24 |
4H-SiCパワーMOSFETのオン状態における可動自由電子比率向上およびクーロン散乱抑制において，界面準位密度（Dit... [more] | SDM2022-24 pp.1-4 |
| SDM | 2022-06-21 13:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成 ○橋本 薫・柴山茂久・安坂幸師・中塚 理（名大） SDM2022-25 |
Ge1−xSnx量子ドットは，Sn組成やドット径でバンドギャップ変調が可能かつ，Sn組成10%超で直接遷移化が可能なため... [more] | SDM2022-25 pp.5-8 |
| SDM | 2019-06-21 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト ○全 智禧・鈴木陽洋・柴山茂久・財満鎭明・中塚 理（名大） SDM2019-26 |
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor... [more] | SDM2019-26 pp.5-9 |
| SDM | 2019-06-21 12:00 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について ○祖父江秀隆・福田雅大・柴山茂久（名大）・財満鎭明（名城大）・中塚 理（名大） SDM2019-28 |
[more] | SDM2019-28 pp.17-20 |
| SDM | 2018-01-30 15:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties ○Xuan Tian・Lun Xu・Shigehisa Shibayama・Tomonori Nishimura・Takeaki Yajima（Univ. of Tokyo）・Shinji Migita（AIST）・Akira Toriumi（Univ. of Tokyo） SDM2017-96 |
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] | SDM2017-96 pp.21-24 |
| SDM | 2015-06-19 14:35 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御 ○鈴木陽洋・柴山茂久・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-49 |
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] | SDM2015-49 pp.57-61 |
| SDM | 2015-06-19 14:55 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果 ○浅野孝典・柴山茂久・竹内和歌奈・坂下満男・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2015-50 |
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] | SDM2015-50 pp.63-68 |
| SDM | 2013-06-18 09:20 |
東京 | 機械振興会館 | テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成 ○吉田鉄兵・加藤公彦・柴山茂久・坂下満男・田岡紀之・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-45 |
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には，良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成，お... [more] | SDM2013-45 pp.7-11 |
| SDM | 2013-06-18 09:40 |
東京 | 機械振興会館 | Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 ○柴山茂久・加藤公彦・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2013-46 |
現在，Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で，極薄GeOx界面層の形成により，低界面準位密度（Dit）が実現可能と報... [more] | SDM2013-46 pp.13-18 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures ○Kusumandari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Noriyuki Taoka・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） |
Low temperature processes such as plasma process are require... [more] | |
| SDM | 2012-06-21 10:55 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・田岡紀之・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2012-48 |
高駆動力 Ge MOSFETの実現には，低界面準位密度（Dit）かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] | SDM2012-48 pp.27-32 |
| SDM | 2011-07-04 11:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure ○Kusuman Dari・Wakana Takeuchi・Kimihiko Kato・Shigehisa Shibayama・Mitsuo Sakashita・Osamu Nakatsuka・Shigeaki Zaima（Nagoya Univ.） SDM2011-57 |
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] | SDM2011-57 pp.41-46 |
| SDM | 2011-07-04 13:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果 ○柴山茂久（名大）・加藤公彦（名大/学振）・坂下満男・竹内和歌奈・中塚 理・財満鎭明（名大） SDM2011-59 |
次世代CMOSの実現に向けて，低い界面準位密度（<1011 cm－2-eV－1）と低SiO2等価膜厚（1 nm）とを同時... [more] | SDM2011-59 pp.51-56 |
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