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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 15:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Threshold Voltage Roll-off Mechanisms in SONOS Flash Memory in Retention Mode Including Trapped Charge Redistribution Effect ○Doo-Hyun Kim・Gil Sung Lee・Seongjae Cho・Jung Hoon Lee・Jang-Gn Yun・Dong Hua Li・Yoon Kim・Se Hwan Park・Won Bo Shim・Wandong Kim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）  ED2010-58 SDM2010-59 |
[more] | ED2010-58 SDM2010-59 pp.37-40 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 10:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Multi-level reading method by using PCI(Paierd Cell Interference) in vertical NAND flash memory. ○Yoon Kim・Seongjae Cho・Jang-Gn Yun・Il Han Park・Gil Sung Lee・Doo-Hyun Kim・Dong Hua Li・Se Hwan Park・Wandong Kim・Wonbo Shim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2009-96 SDM2009-91 |
[more] | ED2009-96 SDM2009-91 pp.197-200 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:45 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Study on Dependence of Self-Boosting Channel Potential on Device Scale and Doping Concentration in 2-D and 3-D NAND-Type Flash Memory Device. ○Seongjae Cho・Jung Hoon Lee・Yun Kim・Jang-Gn Yun・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2009-101 SDM2009-96 |
[more] | ED2009-101 SDM2009-96 pp.219-222 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Design of Vertical Nonvolatile Memory Device Considering Gate-Induced Barrier Lowering(GIBL) ○Seongjae Cho・Il Han Park・Jung Hoon Lee・Gil Sung Lee・Jong Duk Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-58 SDM2008-77 |
Recently, various 3-D nonvolatile memory (NVM) devices have ... [more] | ED2008-58 SDM2008-77 pp.95-99 |
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