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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
WPT, EE
(併催)
2018-10-03
09:35
京都 京都大学宇治キャンパス 淡水下での電界型無線電力伝送における伝送効率の電力特性
村井宏輔松上裕明田村昌也豊橋技科大WPT2018-29
本報告では淡水下での電界結合型無線電力伝送における伝送効率の電力特性について述べる.電界結合型水中無線電力伝送での大電力... [more] WPT2018-29
pp.1-4
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
14:25
北海道 小樽経済センター Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術
碓氷光男武田浩太郎平田泰興福田 浩土澤 泰西 英隆高 磊開 達郎本田健太郎野河正史山田浩治山本 剛NTTR2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し,はんだを使用せず,200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
pp.109-114
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-23
17:40
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用
西 英隆開 達郎土澤 泰高 磊武田浩太郎NTT)・石川靖彦和田一実東大)・福田 浩山田浩治山本 剛NTTPN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80
 [more] PN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80
pp.141-146
OPE 2013-12-20
14:00
東京 機械振興会館 高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析
武田浩太郎開 達郎土澤 泰西 英隆高 磊福田 浩山本 剛NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTTOPE2013-140
本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード(Ge-PD)を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバ... [more] OPE2013-140
pp.13-18
OPE 2012-12-21
17:10
東京 機械振興会館 低温作製石英系導波路の偏波無依存化
西 英隆土澤 泰NTT)・篠島弘幸久留米高専)・渡辺俊文板橋聖一NTT-AT)・高 磊福田 浩山田浩治NTTOPE2012-142
 [more] OPE2012-142
pp.45-50
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-24
13:10
宮城 東北大学電気通信研究所 ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGePDのSiプラットフォーム上モノリシック集積
西 英隆土澤 泰高 磊開 達郎福田 浩NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTTR2012-43 EMD2012-49 CPM2012-74 OPE2012-81 LQE2012-47
 [more] R2012-43 EMD2012-49 CPM2012-74 OPE2012-81 LQE2012-47
pp.107-110
OPE 2011-12-16
16:15
東京 機械振興会館 単一Si細線導波路を用いた超小型DPSK復調器
高 磊西 英隆土澤 泰篠島弘幸山田浩治NTTOPE2011-148
シリコン細線導波路の大きな偏波群遅延差を用いることにより、1本の導波路内に1-bit遅延干渉計を構成し、10GbpsのD... [more] OPE2011-148
pp.39-43
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-27
15:45
大阪 大阪大学 Fast Optical Power Stabilization using a Germanium Photodiode and a Silicon Variable Optical Attenuator Integrated on a Silicon Photonic Platform
Koji YamadaTai TsuchizawaToshifumi WatanabeHiroyuki ShinojimaHidetaka NishiRai KouSungbong ParkNTT)・Yasuhiko IshikawaKazumi WadaUniv. of Tokyo)・Seiichi ItabashiNTTPN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134
シリコンプラットフォーム上にモノリシックに集積したゲルマニウムフォトダイオードとシリコン可変減衰器を用いた、光強度の高速... [more] PN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134
pp.53-56
OPE 2010-12-17
17:55
東京 機械振興会館地下3階2号室 キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積
西 英隆土澤 泰渡辺俊文篠島弘幸高 磊朴 成鳳山田浩治板橋聖一NTTOPE2010-142
Si細線光導波路にPINダイオード構造を付与したVOAと,石英系光導波路によるAWGを,スポットサイズ変換器を介して接続... [more] OPE2010-142
pp.61-64
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