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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
13:50
福井 福井大学 ホモエピタキシャル成長pn GaNダイオードの電気的評価
徳田 豊松岡陽一妹尾 武愛知工大)・上田博之石黒 修副島成雅加地 徹豊田中研ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
自立GaN基板上にMOCVD成長により作成したpnダイオードの電気特性の評価を行った。n+基板上にn層(10 μm, S... [more] ED2007-173 CPM2007-99 LQE2007-74
pp.85-88
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:30
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes
Masashi KatoKazuki MikamoMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり,GaNの大電力素子を作製する上でp型層の形成とエッチングプ... [more]
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
15:55
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements
Masashi KatoKeisuke FukushimaMasaya IchimuraNagoya Inst. of Tech.)・Masakazu KanechikaOsamu IshiguroTetsu KachiToyota Central R&D Labs.
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-24
14:50
静岡 静岡大学 浜松キャンパス 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価
福島圭亮加藤正史市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチ... [more]
SDM, ED, CPM
(共催)
2007-05-25
11:20
静岡 静岡大学 浜松キャンパス ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価
加藤正史三鴨一輝市村正也名工大)・兼近将一石黒 修加地 徹豊田中研
GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不... [more]
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