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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-26
16:00
ONLINE オンライン開催 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製
渡久地政周三輪和希北大)・堀切文正福原 昇成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(H... [more] ED2021-34 CPM2021-68 LQE2021-46
pp.87-90
ED, MW
(共催)
2020-01-31
11:45
東京 機械振興会館 地下3階6号室 コンタクトレス光電気化学(PEC)エッチングを用いたリセスゲートHEMTの作製
堀切文正福原 昇サイオクス)・渡久地政周三輪和希北大)・成田好伸市川 磨磯野僚多田中丈士サイオクス)・佐藤威友北大ED2019-98 MW2019-132
GaNは化学的に安定であるが、光電気化学(PEC)反応を用いる事で、低損傷な加工が可能である。通常、PEC反応を用いたエ... [more] ED2019-98 MW2019-132
pp.25-28
SSS 2018-12-18
13:50
東京 筑波大学東京キャンパス文京校舎117教室 空気圧駆動システムにおけるフェールセーフ・インタロックシステムの検証
猪野款聖千葉正伸三橋 郁市川 修原 圭吾職能開発大)・石塚 禎三和工機)・佐々木友宏製品評価技術基盤機構)・中村瑞穂職能開発大SSS2018-26
本研究に用いる空気圧駆動システムは,動力源である圧縮空気を利用した高出力設備として,様々な分野で利用される.しかし,各種... [more] SSS2018-26
pp.5-8
SSS 2017-12-19
13:35
東京 機械振興会館 空気圧システムにおけるインタロックシステムの試作Ⅱ
猪野款聖佐々木友宏三橋 郁職能開発大)・石塚 禎三和工機)・原 圭吾市川 修千葉正伸中村瑞穂職能開発大SSS2017-26
本研究に用いる空気圧システムは,様々な分野で高出力設備として広く利用されている.空気圧システムを構成するコンポーネントは... [more] SSS2017-26
pp.5-8
SDM 2014-01-29
10:25
東京 機械振興会館 [招待講演]MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
入沢寿史小田 穣池田圭司守山佳彦三枝栄子W Jevasuwan前田辰郎産総研)・市川 麿長田剛規秦 雅彦住友化学)・宮本恭幸東工大)・手塚 勉産総研SDM2013-137
(111)B面をチャネルとする底辺30 nmの三角形状In0.53Ga0.47As-OI nMOSFETsをSi基板上に... [more] SDM2013-137
pp.9-12
SDM 2014-01-29
15:05
東京 機械振興会館 [招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-144
 [more] SDM2013-144
pp.39-42
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
PRMU, SP
(共催)
2012-02-10
16:30
宮城 東北大学 青葉山キャンパス 息継ぎ音を利用した電話音声の発話分割
福田 隆市川 治西村雅史日本IBMPRMU2011-238 SP2011-153
近年,音声認識を利用した通話監視技術に注目が集まっている.コールセンターを対象とした音声認識では,会話音声をあらかじめ発... [more] PRMU2011-238 SP2011-153
pp.243-248
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