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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2023-11-10 11:20 |
東京 | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［招待講演］キャリアの捕獲・励起過程を導入した自己無撞着モンテカルロデバイスシミュレーション ○橋本風渡・鈴木刀真・三成英樹・中﨑暢也・小町 潤（ソニーセミコンダクタソリューションズ）・佐野伸行（筑波大）  SDM2023-69 |
本研究では、不純物の離散性とトラップによるキャリア捕獲励起過程をモンテカルロデバイスシミュレーションに正しく導入し、n型... [more] | SDM2023-69 pp.31-34 |
| SDM | 2019-11-08 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II ～ 半導体ナノ構造におけるランダム不純物 ～ ○佐野伸行（筑波大） SDM2019-75 |
半導体デバイスにドープされた離散的で空間に局在した不純物のデバイスシミュレーションにおける取り扱い方法は、デバイス特性ば... [more] | SDM2019-75 pp.33-38 |
| SDM | 2017-11-10 11:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 ～ ランダム不純物ばらつきと自己平均化 ～ ○佐野伸行（筑波大） SDM2017-68 |
ナノスケール半導体デバイスにランダムドープされたイオン化不純物の離散性による輸送特性やデバイスモデリングへの影響について... [more] | SDM2017-68 pp.37-42 |
| SDM | 2016-11-11 15:40 |
東京 | 機械振興会館 | ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション ○坂本 萌・六郷泰昭・佐野伸行（筑波大） SDM2016-88 |
クーロン相互作用を高精度に導入した３次元自己無撞着モンテカルロシミュレーションを用いて、ダブルゲート構造MOSFETでの... [more] | SDM2016-88 pp.55-58 |
| SDM | 2016-11-11 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構 ○鈴木 東（筑波大）・吉田勝尚（東大）・佐野伸行（筑波大） SDM2016-89 |
ドリフト拡散式にポアソン方程式をカップルさせ、自己無撞着に解く、アモルファス・シリコン(a-Si) p-i-n 太陽電池... [more] | SDM2016-89 pp.59-64 |
| SDM | 2013-11-15 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション ～ 不純物散乱と遮蔽の影響の考察 ～ ○植田暁子（筑波大）・Mathieu Luisier（チューリッヒ工科大）・吉田勝尚・本多周太・佐野伸行（筑波大） SDM2013-110 |
高濃度にドープされたn型のシリコンナノワイヤで構成されたジャンクションレストランジスタ(JLT)において, 遮蔽効果を伴... [more] | SDM2013-110 pp.61-64 |
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