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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2023-11-30 14:20 |
静岡 | アクトシティ浜松 | ALD-Al2O3絶縁ゲート構造の欠陥低減に向けた水蒸気酸化技術 ○尾崎史朗・熊崎祐介・岡本直哉・中舍安宏・多木俊裕・原 直紀（富士通）  ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 |
高周波デバイスに適用可能な原子層堆積(ALD：Atomic Layer Deposition)-Al2O3絶縁ゲート構造... [more] | ED2023-17 CPM2023-59 LQE2023-57 pp.15-20 |
| ED, MWPTHz (共催) |
2022-12-19 14:45 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 | ［招待講演］GaAsSb/InGaAsバックワードダイオードを集積した300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナ ○須原理彦・臼居克紘（都立大）・浅川澄人（都立産技高専）・河口研一・高橋 剛・佐藤 優・岡本直哉（富士通） ED2022-74 MWPTHz2022-45 |
本発表ではGaAsSb-InGaAs バックワードダイオード(BWD)を用いた300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナにつ... [more] | ED2022-74 MWPTHz2022-45 pp.15-18 |
| ED, THz (共催) |
2021-12-20 14:20 |
宮城 | 東北大学・電気通信研究所 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ボウタイアンテナとバックワードダイオードを集積した300GHz帯レクテナの作製・評価とモデリング ○木村拓海・須原理彦・臼居克紘・若山潤輝（都立大）・浅川澄人（都立産技高専）・河口研一・高橋 剛・佐藤 優・岡本直哉（富士通研） ED2021-50 |
[more] | ED2021-50 pp.10-15 |
| MW, ED (共催) |
2021-01-29 14:25 |
ONLINE | オンライン開催 | 界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化 ○熊崎祐介・多木俊裕・小谷淳二・尾崎史朗（富士通/富士通研）・新井田佳孝（富士通研）・美濃浦優一（富士通/富士通研）・西森理人（富士通）・岡本直哉（富士通/富士通研）・佐藤 優・中村哲一（富士通研）・渡部慶二（富士通/富士通研） ED2020-34 MW2020-87 |
[more] | ED2020-34 MW2020-87 pp.34-37 |
| MW, ED (共催) |
2019-01-17 15:00 |
東京 | 日立中研 | ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 ○熊崎祐介・尾崎史朗・美濃浦優一・牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・中村哲一（富士通研） ED2018-77 MW2018-144 |
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として，オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] | ED2018-77 MW2018-144 pp.51-54 |
| NS | 2018-10-18 13:50 |
京都 | 京都教育文化センター | ［ポスター講演］エッジコンピューティングとクラウドコンピューティングを併用したスマートフォンアプリの検討 ○橘 拓至・岡本直也（福井大） NS2018-113 |
[more] | NS2018-113 pp.43-44 |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-26 14:50 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ［依頼講演］ミリ波GaN HEMTの現状 ○牧山剛三・新井田佳孝・尾崎史朗・多木俊裕・岡本直哉・美濃浦優一・佐藤 優・鎌田陽一・常信和清・渡部慶二（富士通）・宮本泰幸（東工大） ED2016-98 MW2016-174 |
[more] | ED2016-98 MW2016-174 pp.13-16 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 09:30 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善 ○高橋 剛・佐藤 優・芝 祥一・中舍安宏・原 直紀・岩井大介・岡本直哉・渡部慶二（富士通研） ED2016-102 MW2016-178 |
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] | ED2016-102 MW2016-178 pp.29-33 |
| ED | 2016-07-23 14:00 |
東京 | 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 | 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・常信和清（富士通研） ED2016-27 |
[more] | ED2016-27 pp.1-4 |
| ED | 2015-07-24 14:05 |
石川 | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) | リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング ○美濃浦優一・岡本直哉・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・鎌田陽一・渡部慶二（富士通研） ED2015-38 |
[more] | ED2015-38 pp.9-13 |
| MW, ED (共催) |
2015-01-16 10:40 |
東京 | 機械振興会館 | X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発 ○新井田佳孝・鎌田陽一・多木俊裕・尾崎史朗・牧山剛三・岡本直哉・佐藤 優・増田 哲・渡部慶二（富士通研） ED2014-127 MW2014-191 |
[more] | ED2014-127 MW2014-191 pp.59-63 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 13:15 |
大阪 | 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 | MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制 ○尾崎史朗・牧山剛三・多木俊裕・鎌田陽一・佐藤 優・新井田佳孝・岡本直哉・増田 哲・常信和清（富士通） ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 |
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)の... [more] | ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118 pp.81-84 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2012-11-29 15:50 |
大阪 | 大阪市立大学 | 原子層堆積Al2O3を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 ○尾崎史朗・多木俊裕・金村雅仁・今田忠紘・中村哲一・岡本直哉・宮島豊生・吉川俊英（富士通研） ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 |
高効率スイッチング素子等、電源用途で使用される絶縁ゲート型窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT：Hi... [more] | ED2012-75 CPM2012-132 LQE2012-103 pp.41-44 |
| CPM, LQE, ED (共催) |
2010-11-11 16:50 |
大阪 | 阪大 中ノ島センター | ミリ波高出力GaN-HEMT ○牧山剛三・多木俊裕・岡本直哉・金村雅仁・増田 哲・中舍安宏・常信和清・今西健治（富士通/富士通研）・原 直紀・尾崎史朗・中村哲一（富士通研）・吉川俊英（富士通/富士通研） ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 |
[more] | ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109 pp.51-54 |
| MW | 2009-09-25 15:15 |
東京 | 電通大 | 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器 ○重松寿生・井上雄介・赤瀬川章彦・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） MW2009-86 |
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] | MW2009-86 pp.73-78 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-16 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器 ○重松寿生・井上雄介・増田 哲・山田全男・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・常信和清・原 直紀（富士通研） ED2008-218 MW2008-183 |
[more] | ED2008-218 MW2008-183 pp.113-118 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-28 13:55 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器 ○多木俊裕・吉川俊英・金村雅仁・今西健治・牧山剛三・岡本直哉・常信和清・原 直紀（富士通/富士通研） ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 |
[more] | ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122 pp.131-136 |
| SDM, R, ED (共催) |
2007-11-16 15:20 |
大阪 | 中央電気倶楽部 | 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析 ○井上雄介・増田 哲・金村雅仁・多木俊裕・牧山剛三・岡本直哉・今西健治・吉川俊英・原 直紀・重松寿生・常信和清（富士通研） R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 |
[more] | R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219 pp.27-31 |
| MW, ED (共催) |
2007-01-19 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス ○金村雅仁・多木俊裕・今西健治・牧山剛三・岡本直哉（富士通/富士通研）・原 直紀（富士通研）・吉川俊英・常信和清（富士通/富士通研） |
[more] | ED2006-236 MW2006-189 pp.199-203 |
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