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 31件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-23
09:25
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望
竹中 充李 強関根尚希高木信一東大
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
LQE 2018-07-13
10:00
北海道 北海道大学 [招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用
藤方潤一野口将高高橋重樹蔵田和彦光電子融合基盤技研)・竹中 充東大)・中村隆宏光電子融合基盤技研
高効率で広帯域化が可能なMOS (metal-oxide-semiconductor)型Si光変調器,歪SiGe光変調器... [more] LQE2018-30
pp.39-42
LQE 2018-07-13
10:40
北海道 北海道大学 [招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望
竹中 充高木信一東大
我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し,その光変調器応... [more] LQE2018-31
pp.43-46
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
SDM 2017-01-30
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術
高木信一安 大煥野口宗隆後藤高寛西 康一金 閔洙竹中充一東大
 [more] SDM2016-131
pp.5-8
SDM 2016-01-28
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性
ユウ シャオ亢 健竹中 充高木信一東大
 [more] SDM2015-120
pp.1-4
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
SDM 2015-01-27
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果
金 閔洙若林勇希中根了昌横山正史竹中 充高木信一東大
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] SDM2014-137
pp.9-12
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
14:50
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術
一宮佑希竹中 充高木信一東大
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] OPE2014-146 LQE2014-133
pp.37-40
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
16:40
東京 機械振興会館 III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ
一宮佑希横山正史竹中 充高木信一東大
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] OPE2014-21 LQE2014-26
pp.39-42
SDM 2014-01-29
15:05
東京 機械振興会館 [招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大
 [more] SDM2013-144
pp.39-42
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
09:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]III-V/Ge integration on Si platform for electronic-photonic integrated circuits
Mitsuru TakenakaShinichi TakagiUniv. Tokyo
 [more]
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
09:50
大阪 大阪大学 Monolithically Integrated 1x100 Photonic Switch Based on Reconfigurable Phased Arrays and SOAs
Ibrahim Murat SoganciTakuo TanemuraKoji TakedaMasaru ZaitsuMitsuru Takenaka・○Yoshiaki NakanoUniv. of Tokyo
 [more] PN2010-42 OPE2010-155 LQE2010-140
pp.93-97
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-26
15:00
北海道 千歳アルカディアプラザ 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術
竹中 充横山正史杉山正和中野義昭高木信一東大
 [more] EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33
pp.45-48
ED, SDM
(共催)
2010-07-01
10:45
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]III-V/Ge CMOS技術とSiプラットフォーム上の異種材料集積
高木信一竹中 充東大
高移動度のIII-V族化合物半導体やGeをチャネルとするCMOSが、将来の高駆動力・低消費電力LSIのためのデバイス構造... [more] ED2010-78 SDM2010-79
pp.119-124
SDM 2010-06-22
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) High-k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
安田哲二宮田典幸卜部友二石井裕之板谷太郎前田辰郎産総研)・山田 永福原 昇秦 雅彦住友化学)・大竹晃浩物質・材料研究機構)・星井拓也横山正史竹中 充高木信一東大
ゲート長が10 nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネル... [more] SDM2010-42
pp.49-54
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-23
09:45
福岡 九州大学 マッハ・ツェンダ干渉器型双安定レーザの全光フリップ・フロップ動作実証
武田浩司竹中 充種村拓夫財津 優中野義昭東大
近年様々な光信号処理用の素子が開発されており,中でも全光フリップ・フロップはそのメモリ機能や信号再生への応用から実現が期... [more] OCS2009-65 OPE2009-131 LQE2009-90
pp.121-124
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