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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2018-06-25 11:20 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較 グェン スァン チュン（名大）・○田岡紀之（AIST-NU GaN-OIL）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（AIST-NU GaN-OIL）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（AIST-NU GaN-OIL）・宮崎誠一（名大） SDM2018-17 |
[more] | SDM2018-17 pp.5-9 |
| SDM | 2018-06-25 15:15 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価 ○松田亮平・大田晃生（名大）・田岡紀之（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） SDM2018-22 |
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] | SDM2018-22 pp.29-32 |
| SDM | 2018-06-25 16:35 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 藤村信幸・○大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2018-26 |
[more] | SDM2018-26 pp.47-51 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 12:30 |
愛知 | 名古屋工業大学 | リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価 ○グェンスァン チュン（名大）・田岡紀之（産総研）・大田晃生（名大）・山田 永・高橋言緒（産総研）・池田弥央・牧原克典（名大）・清水三聡（産総研）・宮崎誠一（名大） ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 |
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] | ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74 pp.61-64 |
| SDM | 2017-06-20 14:35 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価 ○藤村信幸・大田晃生・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-25 |
[more] | SDM2017-25 pp.19-23 |
| SDM | 2017-06-20 14:55 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | 定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 ○大田晃生・加藤祐介・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-26 |
[more] | SDM2017-26 pp.25-29 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM | 2016-06-29 14:45 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 | リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成 ○グェンスァン チュン・藤村信幸・竹内大智・大田晃生・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（名大） SDM2016-41 |
SiH4と励起したAr希釈O2を用いたリモート酸素プラズマ支援CVD(O2-RPCVD)により水素終端したSi表面上にS... [more] | SDM2016-41 pp.49-52 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 08:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior ○Akio Ohta（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda・Hideki Murakami・Seiichiro Higashi（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy ○Daichi Takeuchi・Katsunori Makihara（Nagoya Univ.）・Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.）・Hirokazu Kaki・Tsukasa Hayashi（NISSIN ELECTRIC Co. Ltd.,） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 09:45 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures ○Mitsuhisa Ikeda（Hiroshima Univ.）・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Nagoya Univ.） |
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| SDM | 2012-06-21 09:40 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2012-45 |
シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にし... [more] | SDM2012-45 pp.13-16 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:00 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | ［招待講演］一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 ○牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大） ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 |
熱SiO2膜上のSi-QDs上にGeを選択成長させ、酸化・高温熱処理を施した後、SiH4-LPCVDを行うことによって、... [more] | ED2012-17 CPM2012-1 SDM2012-19 pp.1-6 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-18 14:15 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価 ○竹内大智・牧原克典（名大）・池田弥央（広島大）・宮崎誠一（名大）・可貴裕和・林 司（日新電機） ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 |
[more] | ED2012-36 CPM2012-20 SDM2012-38 pp.95-98 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 10:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長 ○林 将平・松原良平・藤田悠二・池田弥央・東 清一郎（広島大） SDM2012-14 OME2012-14 |
ポーラスシリコン(PS)層上に堆積したアモルファスシリコン(a-Si)膜を大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により結晶... [more] | SDM2012-14 OME2012-14 pp.63-66 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 16:15 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor ○Masakazu Muraguchi（Tohoku Univ.）・Yoko Sakurai・Yukihiro Takada・Shintaro Nomura・Kenji Shiraishi（Univ. of Tsukuba.）・Mitsuhisa Ikeda・Katsunori Makihara・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.）・Yasuteru Shigeta（Univ. of Hyogo）・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.） ED2010-122 SDM2010-123 |
The efficiency and stability of electron injection from the ... [more] | ED2010-122 SDM2010-123 pp.319-324 |
| SANE | 2010-01-29 10:15 |
長崎 | 長崎県美術館 | 電波動画像における目標輝点特徴量を使ったフレーム間追尾方式の検討 ○池田満久・亀田洋志（三菱電機） SANE2009-148 |
ISAR(Inverse Synthetic Aperture Radar)画像などの電波動画像における目標輝点のフレー... [more] | SANE2009-148 pp.55-60 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-25 12:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Electrical Detection of Silicon Binding Protein-Protein A Using a p-MOSFET Sensor ○Hideki Murakami・Syed Mahboob・Kiyotaka Katayama・Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Yumehiro Hata・Akio Kuroda・Seiichiro Higashi・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-87 SDM2009-82 |
We have focused on silica binding protein(SBP)-tagged protei... [more] | ED2009-87 SDM2009-82 pp.161-164 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 11:15 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots ○Katsunori Makihara・Mitsuhisa Ikeda・Akira Kawanami・Seiichi Miyazaki（Hiroshima Univ.） ED2009-92 SDM2009-87 |
Silicon-quantum-dots (Si-QDs) with an areal density as high ... [more] | ED2009-92 SDM2009-87 pp.181-184 |
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