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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-11-09
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC中の不純物拡散モデル
植松真司慶大SDM2017-64
パワーデバイスへの応用が広がっているSiC(炭化ケイ素)における点欠陥・拡散について紹介する。SiおよびGeにおける拡散... [more] SDM2017-64
pp.15-20
SDM 2015-11-05
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]半導体における不純物拡散モデリングの現状
植松真司慶大SDM2015-84
CMOSデバイスのナノスケール微細化に伴い、拡散シミュレータにおける不純物分布の予測により高い精度が求められている。また... [more] SDM2015-84
pp.1-6
SDM 2013-11-14
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 併設ワークショップ1 ~
植松真司慶大SDM2013-100
2013年9月イギリス グラスゴーで開催されたSISPAD 2013において併設されたワークショップ1 "Modelin... [more] SDM2013-100
pp.5-8
SDM 2012-11-16
11:15
東京 機械振興会館 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~
森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大SDM2012-107
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NE... [more] SDM2012-107
pp.43-46
SDM 2009-06-19
10:20
東京 東京大学(生産研An棟) Si酸化における界面反応の第一原理計算
秋山 亨三重大)・影島博之NTT)・植松真司慶大)・伊藤智徳三重大SDM2009-28
Si酸化における界面反応過程の詳細を第一原理計算に基づき解明した。ドライ酸化を想定したO$_2$分子での界面反応では、O... [more] SDM2009-28
pp.9-13
SDM 2006-06-22
13:10
広島 広島大学, 学士会館 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察
趙 明・○中嶋 薫鈴木基史木村健二京大)・植松真司NTT)・鳥居和功神山 聡奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
 [more] SDM2006-59
pp.99-102
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