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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 15:00 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成 ○茂藤健太・松村 亮・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大）  SDM2016-6 OME2016-6 |
[more] | SDM2016-6 OME2016-6 pp.27-28 |
| SDM, OME (共催) |
2016-04-08 15:35 |
沖縄 | 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 | 金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成 ○酒井崇嗣・松村 亮・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2016-7 OME2016-7 |
[more] | SDM2016-7 OME2016-7 pp.29-30 |
| OME, SDM (共催) |
2015-04-30 10:40 |
沖縄 | 大濱信泉記念館多目的ホール | フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 ○松村 亮（九大/学振）・知北大典・甲斐友樹・佐々木雅也・佐道泰造・池上 浩・宮尾正信（九大） SDM2015-10 OME2015-10 |
次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200... [more] | SDM2015-10 OME2015-10 pp.39-40 |
| SDM, OME (共催) |
2014-04-10 14:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 ○パク ジョンヒョク・宮尾正信・佐道泰造（九大） SDM2014-4 OME2014-4 |
[more] | SDM2014-4 OME2014-4 pp.17-20 |
| OME, SDM (共催) |
2013-04-25 14:30 |
鹿児島 | 屋久島環境文化村センター | 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成 ○松村 亮・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2013-5 OME2013-5 |
[more] | SDM2013-5 OME2013-5 pp.17-23 |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 18:15 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth ○Yuki Tojo・Ryo Matsumura・Hiroyuki Yokoyama・Masashi Kurosawa・Kaoru Toko・Taizoh Sadoh・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.） |
[more] | |
| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-27 18:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | Formation of (111)-oriented large-grain Ge crystal on insulator at low-temperature by gold-induced crystallization technique ○Jonghyeok Park・Tsuneharu Suzuki・Masanobu Miyao・Taizoh Sadoh（Kyushu Univ.） |
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| SDM, ED (共催) (ワークショップ) |
2012-06-28 10:40 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［ポスター講演］Dependence of Schottky barrier height on the junction size of bcc-metal/n-Ge(111) contacts ○Hirotaka Yoshioka・Kenji Kasahara・Toshihiro Nishimura・Shinya Yamada・Masanobu Miyao・Kohei Hamaya（Kyushu Univ.） |
[more] | |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 10:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 ～ Si偏析効果による大粒径化 ～ ○加藤立奨・黒澤昌志・横山裕之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2012-13 OME2012-13 |
[more] | SDM2012-13 OME2012-13 pp.61-62 |
| SDM, OME (共催) |
2012-04-28 11:10 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 ～ 界面酸化膜厚依存性 ～ ○鈴木恒晴・パク ジョンヒョク・黒澤昌志・宮尾正信・佐道泰造（九大） SDM2012-16 OME2012-16 |
フレキシブルな高速薄膜トランジスタの実現には，高キャリヤ移動度を有する半導体(Ge)薄膜をプラスチィックなどの絶縁基板上... [more] | SDM2012-16 OME2012-16 pp.71-73 |
| SDM | 2011-12-16 16:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発 ○部家 彰・野々村勇希・木野翔太・松尾直人・天野 壮・宮本修治・神田一浩・望月孝晏（兵庫県立大）・都甲 薫・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2011-145 |
結晶化が起こるには、結晶核形成と結晶粒成長の2つのプロセスを経る必要があるが、一般に結晶核形成には多くのエネルギーを必要... [more] | SDM2011-145 pp.71-76 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 12:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ ○宮尾正信（九大）・浜屋宏平（九大/JST） ED2010-52 SDM2010-53 |
SiGe上における強磁性シリサイドのエピタキシャル成長、ショットキー接合を用いたスピン注入等の実験結果を述べ、SiGe系... [more] | ED2010-52 SDM2010-53 pp.11-13 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 11:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム ○川畑直之（九大）・黒澤昌志（九大/学振）・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-4 OME2010-4 |
次世代高速薄膜トランジスタ及び高効率薄膜太陽電池の実現には，高移動度や高い光吸収係数を有する新半導体材料(SiGe)薄膜... [more] | SDM2010-4 OME2010-4 pp.13-17 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:00 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)の形成のシード基板面方位・成長方向依存性 ○大田康晴・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-11 OME2010-11 |
我々は、SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) 形成を提案し、GOI (100)... [more] | SDM2010-11 OME2010-11 pp.49-52 |
| SDM, OME (共催) |
2010-04-23 15:20 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成 ○坂根 尭・都甲 薫・田中貴規・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2010-12 OME2010-12 |
インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(～1 μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、... [more] | SDM2010-12 OME2010-12 pp.53-57 |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 09:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | ［招待講演］Lateral liquid-phase epitaxy of Ge on insulator using Si seed for ultrahigh speed transistor ○Taizoh Sadoh・Takanori Tanaka・Yasuharu Ohta・Kaoru Toko・Masanobu Miyao（Kyushu Univ.） ED2009-91 SDM2009-86 |
Lateral liquid-phase epitaxy of Ge-on-insulator (GOI) using ... [more] | ED2009-91 SDM2009-86 pp.177-180 |
| OME, SDM (共催) |
2009-04-24 16:15 |
佐賀 | 産総研九州センター大会議室 | アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 ○黒澤昌志・川畑直之・佐道泰造・宮尾正信（九大） SDM2009-5 OME2009-5 |
次世代の高速薄膜トランジスタや高効率薄膜太陽電池の実現には，高キャリア移動度や高吸収係数を有する半導体薄膜をガラス上に形... [more] | SDM2009-5 OME2009-5 pp.19-23 |
| SDM, OME (共催) |
2008-04-12 09:30 |
沖縄 | 沖縄県青年会館 | ［招待講演］a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究 ○板倉 賢・宮尾正信（九大） SDM2008-16 OME2008-16 |
a-SiGe薄膜のNi金属誘起横方向結晶化（Ni-MILC）法による低温結晶化機構を解明するために，Si_{0.6}Ge... [more] | SDM2008-16 OME2008-16 pp.77-82 |
| SDM | 2007-12-14 14:10 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Fe3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価 ○平岩佑介（京大）・安藤裕一郎・熊野 守・上田公二・佐道泰造・宮尾正信（九大）・鳴海一雅（原子力機構）・前田佳均（京大） SDM2007-230 |
ラザフォード後方散乱分光法(RBS)を用いて，エピタキシャル成長したFe3Si/Ge(111)の軸配向性を評価した．軸配... [more] | SDM2007-230 pp.35-38 |
| ED, SDM (共催) |
2007-06-25 13:25 |
海外 | Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州， 韓国 | Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application ○Yu-ichiro Ando・Koji Ueda・Mamoru Kumano・Taizoh Sadoh（九大）・Kazumasa Narumi（原子力機構）・Yoshihito Maeda（京大）・Masanobu Miyao（九大） |
スピン偏極強磁性体シリサイドDO3型Fe$_3$Si（キュリー温度：840K）は，格子定数(0.565nm)が，Geの格... [more] | |
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