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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
15:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス ALD-Al2O3を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響
千葉勝仁中野拓真赤澤正道北大ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121
原子層堆積(ALD)によるAl2O3層を有するInAlN MOS構造について、その電気的特性に対する作製プロセスの影響を... [more] ED2013-86 CPM2013-145 LQE2013-121
pp.101-105
ED 2012-07-26
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 AlInN/GaN系へテロ構造の表面・界面評価
橋詰 保堀 祐臣赤澤正道北大ED2012-44
 [more] ED2012-44
pp.17-20
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
10:40
沖縄 沖縄県青年会館 [ポスター講演]Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces
Takuma NakanoMasamichi AkazawaHokkaido Univ.
 [more]
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