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ICD, ITE-IST
(連催)
2012-07-26
14:20
山形 山形大学米沢キャンパス [招待講演]パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ ~ 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発 ~
畑迫健一新田哲也羽根正巳前川繁登ルネサス エレクトロニクスICD2012-23
電気機器や電装品は“高効率かつ省エネルギー”が求められており、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵LSIは中心デバイスに位... [more] ICD2012-23
pp.25-29
SDM 2012-03-05
11:20
東京 機械振興会館 InGaZnOチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
金子貴昭井上尚也齋藤 忍古武直也砂村 潤川原 潤羽根正巳林 喜宏ルネサス エレクトロニクスSDM2011-178
本論文では、ワイドギャップ酸化物半導体InGaZnOを伝導チャネルに用いた、LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを低... [more] SDM2011-178
pp.13-17
SDM 2009-11-13
10:50
東京 機械振興会館 フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析
竹田 裕NECエレクトロニクス)・河田道人NEC情報システムズ)・竹内 潔羽根正巳NECエレクトロニクスSDM2009-144
歪みSiGe/SiチャネルpMOSFETのキャリア輸送特性をフルバンド・デバイスシミュレーションにより解析し、最適なSi... [more] SDM2009-144
pp.49-53
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
15:25
東京 機械振興会館 Ge-pMOSFETにおける正孔輸送特性の歪み依存性解析
竹田 裕NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・羽根正巳NECVLD2007-58 SDM2007-202
高移動度デバイスとして期待の高いGe デバイスの輸送特性の解析を行った.フルバンド・モンテカルロ・デバイスシミュレーショ... [more] VLD2007-58 SDM2007-202
pp.37-41
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
16:15
東京 機械振興会館 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション
羽根正巳NEC)・池澤健夫河田道人NEC情報システムズ)・江崎達也広島大)・山本豊二MIRAI-ASET
反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を... [more] VLD2006-50 SDM2006-171
pp.65-69
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