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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-06-19
16:00
東京 東京大学(生産研An棟) High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
小原孝介山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センター)・浦岡行治奈良先端大/JSTSDM2009-40
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている... [more] SDM2009-40
pp.77-80
SDM 2008-06-10
14:35
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
小原孝介浦岡行治冬木 隆山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センターSDM2008-57
我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの開発を目指した研究を行っている... [more] SDM2008-57
pp.89-92
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
13:45
東京 機械振興会館 相変化メモリのリセット特性のモデリング
酒井 敦園田賢一郎茂庭昌弘石川清志土屋 修井上靖朗ルネサステクノロジVLD2007-55 SDM2007-199
本研究では,3次元の電気・熱伝導を考慮した相変化メモリのコンパクトモデルを開発し,リセット動作の解析を行った.
このモ... [more]
VLD2007-55 SDM2007-199
pp.23-26
ICD 2007-04-12
11:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]書換え電流100μA、書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ
小田部 晃半澤 悟日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・長田健一松井裕一松崎 望高浦則克日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ)・河原尊之日立ICD2007-5
0.13μm,1.5V CMOS技術を用いて,混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] ICD2007-5
pp.23-28
SDM 2007-03-15
13:05
東京 機械振興会館 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
松井裕一黒土健三外村 修森川貴博木下勝治藤崎芳久松崎 望半澤 悟寺尾元康高浦則克守谷浩志岩崎富生日立)・茂庭昌弘古賀 剛ルネサステクノロジ
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] SDM2006-254
pp.1-6
ICD, ITE-CE
(共催)
2006-01-26
10:30
東京 機械振興会館 1.5-V CMOS動作オンチップ相変化RAM回路技術
半澤 悟長田健一河原尊之竹村理一郎日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・高浦則克松崎 望黒土健三守谷浩志日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ
世界最小電流でリセット可能な相変化素子を用いたメモリセルのリセット/セット/リードの各動作を検証して、三つの相変化RAM... [more] ICD2005-206
pp.7-12
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