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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 11:40 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-27 |
金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すA... [more] | SDM2019-27 pp.11-15 |
| SDM | 2019-06-21 16:05 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション ○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） SDM2019-33 |
超格子GeTe/Sb2Te3は次世代不揮発性メモリとして期待されているInterfacial Phase Change ... [more] | SDM2019-33 pp.39-42 |
| SDM | 2018-06-25 15:55 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | 第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討 ○野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二（名大） SDM2018-24 |
[more] | SDM2018-24 pp.37-41 |
| SDM | 2017-11-09 10:00 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション ○白石賢二・関口一樹・長川健大・白川裕規・川上賢人・山本芳裕・洗平昌晃・岡本直也・芳松克則（名大）・寒川義裕・柿本浩一（九大） SDM2017-61 |
これまでのGaNのMOVPE成長シミュレーションではトリメチルガリウム（TMG）とアンモニアがまず反応してアダクトが形成... [more] | SDM2017-61 pp.1-4 |
| SDM | 2017-06-20 16:50 |
東京 | キャンパス・イノベーションセンター東京 ５０８（AB) | エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成 ○伊藤公一・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・池田弥央・牧原克典・宮崎誠一（名大） SDM2017-30 |
卓越した電子物性が理論予測されているSiやGeなどのIV族元素の二次元結晶を作成することを目指し、SiやGeと共晶反応を... [more] | SDM2017-30 pp.43-48 |
| SDM | 2015-06-19 13:00 |
愛知 | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 ○川内伸悟・白川裕規・洗平昌晃（名大）・影島愽之（島根大）・遠藤哲郎（東北大）・白石賢二（名大） SDM2015-45 |
なぜ高品質なSi/SiO2界面は熱酸化によって容易に形成されるのか。この疑問はシリコン技術の成功に密接に関係しているにも... [more] | SDM2015-45 pp.37-40 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-28 15:35 |
愛知 | 名古屋大学VBL3階 | 磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション ○洗平昌晃（名大）・山本貴博（東京理科大）・白石賢二（名大） ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 |
磁気抵抗メモリは，不揮発性・高速動作・高書換え耐性というメモリに求められる全ての要素を併せ持っており，次世代のメモリデバ... [more] | ED2014-27 CPM2014-10 SDM2014-25 pp.47-50 |
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