電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 27件中 1〜20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクス
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二NSW)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
ICD 2017-04-21
10:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明石井雄一郎ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2017-12
pp.63-65
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:25
広島 みやじま杜の宿(広島) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
pp.87-92
SDM 2016-01-28
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2015-125
pp.21-25
ICD 2015-04-16
13:00
長野 信州大学 [依頼講演]20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム
藪内 誠塚本康正森本薫夫田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2015-1
pp.1-4
ICD 2015-04-16
13:25
長野 信州大学 [依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM
田中信二石井雄一郎薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中浩司塚本康正・○新居浩二佐藤広利ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2015-2
pp.5-8
SDM 2015-01-27
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
藪内 誠森本薫夫塚本康正田中信二田中浩司田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] SDM2014-144
pp.37-40
ICD 2014-01-28
15:00
京都 京都大学時計台記念館 [ポスター講演]動作環境の動的変動を考慮した動作マージン拡大機能を有する自律制御キャッシュ
木美雄太中田洋平奥村俊介鄭 晋旭澤田卓也利川 托神戸大)・永田 真神戸大/JST)・中野博文藪内 誠藤原英弘新居浩二河合浩行ルネサス エレクトロニクス)・川口 博神戸大)・吉本雅彦神戸大/JST
車載など誤動作が人命に関わる分野に用いられるプロセッサには高い信頼性が求められる.一方で,プロセッサの高性能化・高集積化... [more] ICD2013-125
p.59
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
09:50
石川 金沢大学 角間キャンパス 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘塚本康正石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・松村哲哉日大)・松田吉雄金沢大
 [more] SDM2013-76 ICD2013-58
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
ICD 2012-12-18
09:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
藤原英弘藪内 誠塚本康正中野裕文大和田 徹河合浩行新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2012-114
pp.91-95
ICD 2012-04-24
11:15
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [招待講演]8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路
石井雄一郎塚本康正新居浩二藤原英弘薮内 誠田中浩司田中信二島崎靖久ルネサス エレクトロニクス
8T デュアルポートSRAMセルのライト/リードディスターブ問題について,ディスターブ不良ビットのスクリーニング回路およ... [more] ICD2012-11
pp.55-60
ICD 2012-04-24
15:40
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演] SRAMとオンチップメモリビストを用いたチップID生成回路
藤原英弘藪内 誠中野裕文河合浩行新居浩二有本和民ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2012-17
pp.91-95
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
14:40
富山 富山県民会館 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
新居浩二薮内 誠藤原英弘中野博文石原和哉河合浩行有本和民ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2011-91 ICD2011-59
pp.103-108
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
15:30
富山 富山県民会館 動的基板制御による非対称SRAM
藪内 誠塚本康正藤原英弘前川考志五十嵐元繁新居浩二ルネサス エレクトロニクス
非対称MOS構造をアクセスTrに適用した横型SRAMを開発した。これは追加マスク無しで、Static Noise Mar... [more] SDM2011-93 ICD2011-61
pp.115-120
ICD 2010-04-22
09:50
神奈川 湘南工大 [招待講演]回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 ~ 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 ~
新居浩二薮内 誠塚本康正平野有一岩松俊明木原雄治ルネサス エレクトロニクス
回路及びデバイス工夫により、0.5V極低電圧で動作可能なSRAMを開発した。微細化と共にSRAMの動作下限電圧(VCCm... [more] ICD2010-2
pp.7-12
ICD 2010-04-22
10:50
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクス
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more]
ICD2010-3
pp.13-16
 27件中 1〜20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会