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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2019-11-07
15:00
福井 福井大学 文京キャンパス 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空... [more] CPM2019-46
pp.9-14
CPM, IEE-MAG
(連催)
2018-11-02
14:25
新潟 まちなかキャンパス長岡 ケイ素及び窒素を添加したDLC薄膜の熱的安定性
中澤日出樹中村和樹長内公哉郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大CPM2018-52
希釈ガスにH_(2)を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したケイ素及び窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si... [more] CPM2018-52
pp.99-104
CPM 2018-08-09
14:30
青森 弘前大学文京町地区キャンパス Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果
中村和樹大橋 遼弘前大)・横山 大田島圭一郎遠藤則史末光眞希東北大)・遠田義晴小林康之鈴木裕史・○中澤日出樹弘前大CPM2018-8
希釈ガスにH_2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態、電気的・光... [more] CPM2018-8
pp.1-6
ED, THz
(共催)
2017-12-19
15:10
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性
菅原健太渡辺隆之ヤダフ ディピカ込山貴大布施吉貴東北大)・リジー マキシム会津大)・リジー ヴィクトール吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2017-91
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する.SiC基板の熱... [more] ED2017-91
pp.73-76
CS, OCS
(併催)
2016-01-22
09:50
鹿児島 鹿児島大学 稲盛アカデミー(郡元キャンパス) 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換
菅原健太玉虫 元アドリアン ドブロユ吉田智洋末光哲也吹留博一末光眞希リズィー ビクトール岩月勝美東北大)・桑野 茂可児淳一寺田 純NTT)・尾辻泰一東北大OCS2015-95
グラフェンチャネルFET(G-FET),及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し,それらトランジスタを用... [more] OCS2015-95
pp.41-46
ED 2015-12-21
15:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出
玉虫 元菅原健太佐藤 昭田島圭一郎吹留博一末光眞希尾辻泰一東北大ED2015-95
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] ED2015-95
pp.25-30
ED 2013-04-19
11:35
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム Ar雰囲気下高温アニールによる6H-SiC(0001)面上高品質エピタキシャルグラフェン形成
舩窪一智猪俣州哉佐藤 良朴 君昊東北大)・小嗣真人高輝度光科学研究センター)・吹留博一末光真希東北大ED2013-15
Si代替FETチャネル材料として高移動度の新素材グラフェンが近年注目されている。しかし、現在報告されているグラフェンFE... [more] ED2013-15
pp.59-62
CPM 2012-10-27
12:15
新潟 まちなかキャンパス長岡 ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行豊田英之長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-111
パルス制御核発生法を用いたガスソースMBE法によりSi(001) -2˚off基板上にGeナノドットを形成し,... [more] CPM2012-111
pp.97-100
CPM 2012-08-08
13:50
山形 山形大学工学部100周年記念会館セミナー室 ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
姉崎 豊佐藤 魁加藤孝弘加藤有行長岡技科大)・末光真希東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・安井寛治長岡技科大CPM2012-35
 [more] CPM2012-35
pp.11-15
ED 2012-04-18
13:25
山形 山形大学工学部 百周年記念会館大会議室 基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御
吹留博一川合祐輔末光眞希東北大ED2012-2
我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、... [more] ED2012-2
pp.5-7
CPM 2010-10-29
10:25
長野 信州大学 工学部 地域共同研究センター3階研修室 パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化
永田一樹里本宗一長岡技科大)・片桐裕則神保和夫長岡高専)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・○安井寛治長岡技科大CPM2010-102
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2010-102
pp.55-58
ED 2009-11-30
10:30
大阪 大阪科学技術センター 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測
唐澤宏美渡辺隆之小森常義東北大)・末光眞希東北大/JST)・ヴィクトール リーズィー会津大/JST)・尾辻泰一東北大/JSTED2009-169
炭素原子の六員環単層シートであるグラフェンは、バンドギャップを持たず、線形分散をとるため、半導体とは異なる特異な電子物性... [more] ED2009-169
pp.53-58
CPM 2009-08-10
16:05
青森 弘前大学 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
三浦創史中澤日出樹西崎圭太弘前大)・末光眞希東北大)・安井寛治長岡技科大)・伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・成田 克山形大CPM2009-36
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気... [more] CPM2009-36
pp.13-18
CPM 2009-08-10
16:30
青森 弘前大学 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化
遲澤遼一中澤日出樹奥崎知秀佐藤直之遠田義晴弘前大)・末光眞希東北大CPM2009-37
KrFエキシマレーザーを用いたレーザーアブレーション法によりSi基板上にダイヤモンドライクカーボン(diamond-li... [more] CPM2009-37
pp.19-24
CPM 2009-08-11
11:40
青森 弘前大学 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健永田一樹長岡技科大)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志・○安井寛治長岡技科大CPM2009-45
GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効... [more] CPM2009-45
pp.61-66
ED 2009-04-24
09:50
宮城 東北大学電気通信研究所 Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
半田浩之宮本 優齋藤英司吹留博一伊藤 隆東北大)・末光眞希東北大/JSTED2009-10
近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しか... [more] ED2009-10
pp.39-43
ED 2009-04-24
13:00
宮城 東北大学電気通信研究所 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング
齋藤英司末光眞希東北大ED2009-14
モノメチルシランを用いたSi基板上3C-SiC成長中に単色温度計の温度表示が振動する“温度振動”を観測した.この振動は薄... [more] ED2009-14
pp.59-61
ED 2009-04-24
13:25
宮城 東北大学電気通信研究所 パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長
村重正悟松本光正稲吉陽平末光眞希東北大)・中嶋節男上原 剛積水化学)・豊島安健産総研ED2009-15
パルス電界常圧プラズマCVD法を用いてPET基板上に多結晶Si(Poly-Si)成長を行い,Raman散乱分光法および透... [more] ED2009-15
pp.63-67
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
13:30
北海道 北海道大学 [招待講演]Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用
尾辻泰一末光哲也姜 顯澈唐澤宏美宮本 優半田浩之末光眞希東北大)・佐野栄一北大)・リズィー マキシムリズィー ヴィクトール会津大ED2008-224 SDM2008-216
Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術として... [more] ED2008-224 SDM2008-216
pp.1-6
CPM 2008-10-30
13:25
新潟 新潟大学 パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長
小前泰彰齋藤 健長岡技科大)・末光眞希伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克九工大)・高田雅介安井寛治赤羽正志長岡技科大CPM2008-76
紫外・青紫LED, LD、また高温環境下で動作する電子デバイス用材料であるGaNの省資源成長法として期待されるホットメッ... [more] CPM2008-76
pp.7-12
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