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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-06-21 13:30 |
愛知 | 名古屋大学 VBL３F | ［依頼講演］電子デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性 ナノ計測の必要性 ○臼田宏冶（東芝メモリ）  SDM2019-29 |
[more] | SDM2019-29 p.21 |
| SDM | 2015-01-27 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証 ○臼田宏治・鎌田善巳・上牟田雄一・森 貴洋・小池正浩・手塚 勉（産総研） SDM2014-138 |
多結晶Siに比べて低温形成が可能な多結晶Geは、既存集積回路への熱負荷を抑制しつつ直接積層が可能で、3次元積層CMOS用... [more] | SDM2014-138 pp.13-16 |
| SDM | 2006-06-22 10:30 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 角度分解光電子分光を用いたSiO2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析 ○豊田智史・岡林 潤・尾嶋正治（東大）・劉 国林・劉 紫園・池田和人・臼田宏治（半導体理工学研究センター） |
酸窒化膜の窒素濃度分布および化学結合状態はトランジスタの特性および構造を理解するために重要である。角度分解光電子分光法は... [more] | SDM2006-55 pp.77-80 |
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