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ICD 2014-04-18
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発
福田寿一小原弘治堂坂利彰武山泰久緑川 剛東芝)・橋本健二脇山一郎TOSMEC)・宮野信治北城岳彦東芝ICD2014-12
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA(27fA/b)を達成した。q... [more] ICD2014-12
pp.59-64
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