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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2019-08-06
15:25
東京 機械振興会館 周波数ΔΣ変調方式センサに対する発振器位相ノイズの影響
前澤宏一森 雅之富山大ED2019-29
 [more] ED2019-29
pp.13-16
ED 2018-08-08
17:20
海外 機械振興会館 周波数ΔΣ変調型センサのための10GS/s FPGA測定系の構築
前澤宏一山岡昂博森 雅之富山大ED2018-25
周波数ΔΣ 変調(FDSM) 方式を用いたセンサは,高ダイナミックレンジ,広い周波数帯域幅が可能なデジタル出力センサ技術... [more] ED2018-25
pp.31-34
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
14:45
愛知 豊橋技科大VBL Growth of high quality InSb channel layer with InxGa1-xSb heteroepitaxial films on Si(111)
A. A. Mohammad Monzur-Ul-AkhirMasayuki MoriKoichi MaezawaUniversity of ToyamaED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12
InSb has met the requirements of high-performance channel ma... [more] ED2018-17 CPM2018-4 SDM2018-12
pp.15-18
ED, THz
(共催)
2017-12-18
15:15
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]共鳴トンネル発振器の安定性改善とセンサ応用
前澤宏一富山大ED2017-76
RTD 発振器はTHz 信号源として有望であり,すでに1.92THz の発振も報告されている.しかし,RTD は直流から... [more] ED2017-76
pp.15-18
ED 2017-08-09
16:55
東京 機械振興会館 THz帯域を目指した新構造可変位相シフタ
前澤宏一中野大輔森 雅之富山大)・石井 仁豊橋技科大)・安藤浩哉豊田高専ED2017-31
 [more] ED2017-31
pp.25-28
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:30
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaSb/Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのInGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
モハマド モンズール・○森 雅之下山浩哉前澤宏一富山大ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17
 [more] ED2017-23 CPM2017-9 SDM2017-17
pp.45-49
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
11:25
北海道 北海道大学百年記念会館 共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路発振器の高調波生成に関する線形モデル解析
前澤宏一岸 拓郎森 雅之富山大ED2016-133 SDM2016-150
共鳴トンネル素子を装荷した伝送線路はゲインを持つ伝送線路であり,容易に発振器を構成できる.我々はこれまで,シミュレーショ... [more] ED2016-133 SDM2016-150
pp.17-22
ED 2016-08-10
11:50
東京 機械振興会館 周波数ΔΣ変調器のデジタル出力センサへの応用
前澤宏一藤野舜也山岡昂博山川雅暉島田知輝角谷祐一郎田近拓巳森 雅之富山大ED2016-42
 [more] ED2016-42
pp.65-70
ED 2016-07-23
15:55
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 Ge(111)基板上へのInSb薄膜のエピタキシャル成長
三枝孝彰森 雅之前澤宏一富山大ED2016-31
近年、Siを用いた半導体デバイスの微細化による性能向上が限界に達しつつある。そこで我々は、超高速、低消費電力デバイスへの... [more] ED2016-31
pp.21-24
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-20
11:05
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) Si(111)-√3×√3-Ga表面相上へのGaSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
下山浩哉・○森 雅之前澤宏一富山大ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29
Si(111)基板上のGa誘起表面再構成構造(Si(111)-√3×√3-Ga)を介したSi(111)基板上へのGaSb... [more] ED2016-24 CPM2016-12 SDM2016-29
pp.51-54
ED, SDM
(共催)
2016-03-04
11:15
北海道 北海道大学百年記念会館 HEMTと空洞共振器を用いたΔΣ型マイクロフォンセンサ
山岡昴博藤野瞬也山岸 凌山川雅暉島田知輝森 雅之前澤宏一富山大ED2015-129 SDM2015-136
 [more] ED2015-129 SDM2015-136
pp.45-48
CPM, OPE, LQE, R, EMD
(共催)
2015-08-27
14:15
青森 青森県観光物産館アスパム [招待講演]Ga溶融バンプを用いたFluidic Self Assemblyによる異種材料集積化技術
前澤宏一中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙山田悟史森 雅之富山大R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
異種材料デバイス集積技術は,これまで蓄積されてきた半導体ナノプロセス技術を新しいアプリケーション分野に展開するために重要... [more] R2015-28 EMD2015-36 CPM2015-52 OPE2015-67 LQE2015-36
pp.27-32
ED 2015-07-25
11:30
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) 共鳴トンネル素子を用いたΔΣ型歪みセンサ
前澤宏一角谷祐一郎中山大周田近拓巳森 雅之富山大ED2015-46
共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗は発振器の基盤であり,これを用いてすでに1THzを越える基本波発振が報告さ... [more] ED2015-46
pp.51-55
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
17:25
北海道 北海道大学(百年記念会館) 共鳴トンネル超再生検波回路における基本波を超える高周波信号の検波
前澤宏一潘 杰角谷祐一郎中山大周森 雅之富山大ED2014-146 SDM2014-155
 [more] ED2014-146 SDM2014-155
pp.45-49
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
09:25
北海道 北海道大学百年記念会館 共鳴トンネル発振器のセンサー応用
前澤宏一潘 杰角谷祐一郎中野 純森 雅之富山大ED2013-143 SDM2013-158
共鳴トンネルダイオード(RTD) の微分負性抵抗は発振器の基盤であり,これを用いてすでに1THz を越える基本波発振が報... [more] ED2013-143 SDM2013-158
pp.61-66
ED 2013-08-08
14:00
富山 富山大学工学部 大会議室 共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化
呉 東坡水牧勝太朗潘 杰森 雅之前澤宏一富山大ED2013-37
我々は共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化方法について検討した。共鳴トンネルダイオードの電圧振幅は限... [more] ED2013-37
pp.1-4
ED 2013-08-08
14:25
富山 富山大学工学部 大会議室 高性能共鳴トンネルダイオードのための溶融ガリウムバンプを用いたFluidic Self-Assembly
中野 純柴田知明森田弘樹坂本 宙森 雅之前澤宏一富山大ED2013-38
溶融金属バンプを用いたFluidic Self-Assembly (FSA)は非常に有望な異種材料集積技術のひとつであり... [more] ED2013-38
pp.5-8
ED 2013-08-09
09:00
富山 富山大学工学部 大会議室 超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス
藤野舜也水野雄太高岡和央森 雅之前澤宏一富山大ED2013-44
本論文では, InP基板上におけるMEMSマイクロフォンの製造プロセスについて述べた. このプロセスは, 中空構造を作製... [more] ED2013-44
pp.33-36
ED 2013-08-09
11:20
富山 富山大学工学部 大会議室 Si(111)上へのSb再構成構造を利用したInSbの選択成長
王 シン森 雅之前澤宏一富山大ED2013-49
最近、ナノワイヤートランジスタ(NW-FETs)、FinFETsなどの立体構造デバイスの研究が盛んに行われている。過去の... [more] ED2013-49
pp.61-65
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:55
北海道 北海道大学(百年記念会館) Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl2O3/InSb MOSFET
前澤宏一伊藤泰平角田 梓中山幸二安井雄一郎森 雅之富山大)・宮崎英志水谷 孝名大ED2012-135 SDM2012-164
表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111) 基板上に直接成長した6-25 nm のInSb 薄膜をチャネルとして... [more] ED2012-135 SDM2012-164
pp.39-42
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