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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2019-01-29 15:15 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］固体量子情報デバイスの実現に向けたシリコン同位体技術 ○宮本 聡（慶大）・宇佐美徳隆（名大）・伊藤公平（慶大）  SDM2018-89 |
CMOS高集積化技術を用いたシリコン量子コンピュータ開発のための，高品質な同位体制御Si-28/SiGeヘテロ構造の作製... [more] | SDM2018-89 pp.35-38 |
| QIT (第二種研究会) |
2016-05-30 10:50 |
高知 | 高知工科大学永国寺キャンパス | ［招待講演］シリコン量子コンピューティング ○伊藤公平（慶大） |
同位体制御されたシリコンウエハー上に微細加工技術を用いて量子コンピュータを開発する研究が進んでいる。その最新の動向を紹介... [more] | |
| LQE, LSJ (共催) |
2013-05-17 15:20 |
石川 | 金沢大学角間キャンパス | 窒素ドープ同位体制御化学気相成長で作製したダイヤモンドNVセンターサンプルの光学・スピン特性 ○五味朋寛・富澤周平（慶大）・渡邊幸志・梅澤 仁・鹿田真一（産総研）・伊藤公平・早瀬潤子（慶大） LQE2013-12 |
ダイヤモンド中窒素空孔中心 (NVセンター)の電子スピン状態は，量子情報技術や高感度ナノ磁場センシングへの応用が期待され... [more] | LQE2013-12 pp.53-56 |
| SDM | 2012-11-16 11:15 |
東京 | 機械振興会館 | 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ～ KMCとNEGFによる研究 ～ ○森 伸也（阪大）・植松真司（慶大）・三成英樹・ミリニコフ ゲナディ（阪大）・伊藤公平（慶大） SDM2012-107 |
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について，動的モンテカルロ（KMC）法と非平衡グリーン関数（NE... [more] | SDM2012-107 pp.43-46 |
| SDM | 2009-06-19 09:30 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | Geの材料物性ーSiとの比較 ○伊藤公平（慶大） SDM2009-26 |
本講演ではゲルマニウム半導体の歴史と，ゲルマニウムを扱う時にシリコンの常識と違う点を抽出して紹介する. [more] | SDM2009-26 pp.1-2 |
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