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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MRIS, ITE-MMS
(連催)
2016-10-20
14:35
福岡 九州大学西新プラザ エピタキシャルFe3Si強磁性薄膜における低磁場下でのスピンダイナミクス
横谷有紀山野井一人九大)・山田晋也浜屋宏平阪大)・木村 崇九大
強磁性体の磁化ダイナミクスをデバイスに応用する上で、低磁場でも安定して動作する軟磁性材料が必要不可欠である。この軟磁性材... [more]
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:55
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 Fe3Siを用いた動力学的手法による高効率スピン注入の実現
市場昂基安藤裕一郎阪大)・山田晋也九大)・仕幸英治阪市大)・新庄輝也阪大)・浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2013-36
近年, エネルギー損失のない情報伝達の手段として, 純スピン流の制御が大きな注目を浴びている. 一般的なスピン生成手法で... [more] MR2013-36
pp.21-24
ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
MRIS
(連催) [詳細]
2013-01-25
16:40
大阪 パナソニック企業年金基金 松心会館 動力学的手法を用いたp型Geへの室温スピン注入
小池真利子仕幸英治安藤裕一郎新庄輝也阪大)・山田晋也浜屋宏平九大)・白石誠司阪大MR2012-43
ゲルマニウム(Ge)は半導体の中でも高い電界効果移動度を有する材料であり、かつ、その結晶成長技術の向上により、近年、CM... [more] MR2012-43
pp.25-28
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
10:40
沖縄 沖縄県青年会館 [ポスター講演]Dependence of Schottky barrier height on the junction size of bcc-metal/n-Ge(111) contacts
Hirotaka YoshiokaKenji KasaharaToshihiro NishimuraShinya YamadaMasanobu MiyaoKohei HamayaKyushu Univ.
 [more]
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス [招待講演]強磁性シリサイドの低温エピタキシャル成長とSiGe系スピントランジスタ
宮尾正信九大)・浜屋宏平九大/JSTED2010-52 SDM2010-53
SiGe上における強磁性シリサイドのエピタキシャル成長、ショットキー接合を用いたスピン注入等の実験結果を述べ、SiGe系... [more] ED2010-52 SDM2010-53
pp.11-13
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