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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2019-05-15
14:20
東京 東京工業大学 大岡山キャンパス メモ化と簡略演算を用いたアプロキシメートコンピューティング手法の検討
小野義基宇佐美公良芝浦工大
演算を近似化することで、多少の誤差を許容しつつ実行時間や消費エネルギーを削減する「アプロキシメートコンピューティング(A... [more] VLD2019-2
pp.13-18
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:00
沖縄 沖縄県青年会館 3次元積層LSIの実チップ発熱・放熱時における温度の過渡解析と評価
堀米亮汰宇佐美公良芝浦工大
LSIの集積密度を向上させる技術としてLSIチップの3次元積層技術がある。3次元積層技術ではLSIの製造プロセスの微細化... [more] VLD2018-107 HWS2018-70
pp.85-90
HWS, VLD
(共催)
2019-02-28
10:25
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価
真崎 諒吉田有佑芝浦工大)・天野英晴慶大)・宇佐美公良芝浦工大
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算... [more] VLD2018-108 HWS2018-71
pp.91-96
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
DC
(併催) [詳細]
2018-08-01
18:30
熊本 熊本市国際交流会館 省電力型不揮発FFを用いた粗粒度再構成可能アクセラレータ
池添赳治天野英晴慶大)・赤池純也宇佐美公良工藤 優芝浦工大)・平賀啓三周藤悠介屋上公二郎ソニーセミコンダクタソリューションズ
 [more] CPSY2018-32
pp.229-234
VLD, IPSJ-SLDM
(連催)
2018-05-16
15:00
福岡 北九州国際会議場 データキャッシュに対する不揮発性パワーゲーティング適用方法の検討と評価
秋葉爽輔宇佐美公良芝浦工大
近年,CPU全体の消費エネルギーにおいて,キャッシュメモリの消費エネルギーが占める割合が増大している.不揮発性パワーゲー... [more] VLD2018-2
pp.19-24
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
09:50
沖縄 沖縄県青年会館 DRAMの自動リフレッシュ間隔延長とデータ修正に基づくアプロキシメートコンピューティングの提案と評価
深澤高雅宇佐美公良芝浦工大
DRAMは容量の増大にしたがってリフレッシュによる消費エネルギーの増大が懸念されている。そのため、DRAMの消費エネルギ... [more] VLD2017-121
pp.193-198
VLD, HWS
(併催)
2018-03-02
10:30
沖縄 沖縄県青年会館 Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの再構成アクセラレータCool Mega-Arrayへの適用とエネルギー評価
赤池純也宇佐美公良工藤 優芝浦工大)・天野英晴池添赳治慶大)・平賀啓三周藤悠介屋上公二郎ソニーセミコンダクタソリューションズ
フリップフロップの消費電力を低減するための手法として、不揮発性素子である磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel... [more] VLD2017-122
pp.199-204
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2017-11-06
14:55
熊本 くまもと県民交流館パレア 動的マルチボディバイアス制御を用いたデジタルメモリのリークエネルギー削減
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大
オンチップメモリはマイクロプロセッサの主要な構成要素であり、消費エネルギーに大きな影響を与える。本稿では、二アスレッショ... [more] VLD2017-33 DC2017-39
pp.37-42
VLD 2017-03-01
14:00
沖縄 沖縄県青年会館 不揮発性キャッシュの細粒度パワーゲーティングとMTJ記憶領域の動的選択制御
榎戸将太宇佐美公良芝浦工大
不揮発性素子MTJをSRAMに組み込み、キャッシュに適用して、データを保持しつつリーク電力を低減させる不揮発性パワーゲー... [more] VLD2016-102
pp.1-6
VLD 2017-03-01
14:25
沖縄 沖縄県青年会館 ストア/リストア分離型不揮発性フリップフロップにおけるパワーゲーティング技術の有効性評価
工藤 優宇佐美公良芝浦工大
本稿では不揮発性パワーゲーティングを実現するために必要な不揮発性フリップフロップ回路(NVFF)について議論する。従来の... [more] VLD2016-103
pp.7-12
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
10:15
神奈川 慶大日吉キャンパス Verify機能を備えた不揮発性フリップフロップの提案と評価
赤池純也宇佐美公良芝浦工大
近年、携帯情報端末の普及に伴い、高性能かつ低消費電力な製品が求められるようになってきた。そこで、フリップフロップの消費電... [more] VLD2016-97 CPSY2016-133 RECONF2016-78
pp.175-180
CPSY, RECONF, VLD
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-01-25
10:55
神奈川 慶大日吉キャンパス 三次元積層チップの発熱におけるチップ内温度の過渡解析およびその評価
安田匠吾宇佐美公良芝浦工大
LSIの集積密度を向上させる技術としてLSIチップの3次元積層技術がある。3次元積層技術ではLSIの製造プロセスの微細化... [more] VLD2016-98 CPSY2016-134 RECONF2016-79
pp.181-186
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-28
13:10
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 薄膜BOX-SOI(SOTB)におけるレベルシフタレス設計の実現性の検討と評価
小暮俊輔宇佐美公良芝浦工大
レベルシフタは信号の電圧振幅を変換する回路であり、異なる電源電圧領域で信号をやりとりする場合に必要不可欠である。レベルシ... [more] VLD2016-47 DC2016-41
pp.19-24
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:00
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス制御による低消費電力スタンダードセルメモリの設計と実装
吉田有佑宇佐美公良芝浦工大
スタンダードセルメモリ(Standard Cell Memory : SCM)はSRAMに代わる低電圧動作可能な組み込み... [more] VLD2016-53 DC2016-47
pp.55-60
VLD, CAS, MSS, SIP
(共催)
2016-06-17
09:30
青森 弘前市立観光館 MTJを用いた不揮発性キャッシュの消費エネルギー削減における記憶領域選択方法の検討
深澤高雅宇佐美公良芝浦工大
キャッシュの消費エネルギーを抑えるため、リーク電力を抑えるパワーゲーティング(PG)と不揮発性素子MTJを用いてキャッシ... [more] CAS2016-18 VLD2016-24 SIP2016-52 MSS2016-18
pp.97-102
VLD, CAS, MSS, SIP
(共催)
2016-06-17
09:50
青森 弘前市立観光館 不揮発性素子MTJを適用したスタンダードセルメモリ回路の設計と評価
赤池純也工藤 優宇佐美公良芝浦工大
近年、携帯情報端末の普及により、高性能化かつバッテリーの長持ちする製品が求められるようになってきた。そこで本研究では、不... [more] CAS2016-19 VLD2016-25 SIP2016-53 MSS2016-19
pp.103-108
VLD 2016-03-01
16:15
沖縄 沖縄県青年会館 ジグザグパワーゲーティングの入力依存性におけるノイズ低減効果の検討
金本忠大宇佐美公良芝浦工大
リーク電流を低減するパワーゲーティング技術には、ジグザグパワーゲーティングという技術がある。ジグザグパワーゲーティングの... [more] VLD2015-128
pp.99-103
VLD 2016-03-01
16:40
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth設計の基板電圧最適化手法
鈴木花乃宇佐美公良芝浦工大
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] VLD2015-129
pp.105-110
VLD 2016-03-01
17:05
沖縄 沖縄県青年会館 薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの検討
吉田有佑工藤 優宇佐美公良芝浦工大
近年、環境発電やセンサーノードが注目され、低消費電力、超低電圧で動作可能なメモリが求められている。しかし、従来のSRAM... [more] VLD2015-130
pp.111-116
VLD, CPSY, RECONF
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2016-01-20
09:25
神奈川 慶應義塾大学 日吉キャンパス 薄膜BOX-SOIにおける動的マルチVth手法の試作と評価
井尾翔平鈴木花乃中村昌平宇佐美公良芝浦工大
FD-SOIの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin BOX:SOTB)は、超低電圧で動作し、基板... [more] VLD2015-88 CPSY2015-120 RECONF2015-70
pp.91-96
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