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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2019-46 ICD2019-11
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
SDM 2014-06-19
10:10
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減
鈴木陽洋朝羽俊介横井 淳黒澤昌志加藤公彦坂下満男田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2014-45
 [more] SDM2014-45
pp.11-16
SDM 2013-06-18
09:00
東京 機械振興会館 酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御
加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2013-44
Higher-kゲート絶縁膜として着目される六方晶Pr酸化膜の実現に向け,Pr酸化膜形成時のH2O分圧(PH2O)やPr... [more] SDM2013-44
pp.1-6
SDM 2013-06-18
09:20
東京 機械振興会館 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵加藤公彦柴山茂久坂下満男田岡紀之竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2013-45
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,お... [more] SDM2013-45
pp.7-11
SDM 2013-06-18
09:40
東京 機械振興会館 Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2013-46
現在,Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeOx界面層の形成により,低界面準位密度(Dit)が実現可能と報... [more] SDM2013-46
pp.13-18
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
10:00
沖縄 沖縄県青年会館 Effects of Light and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures
KusumandariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaNoriyuki TaokaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.
Low temperature processes such as plasma process are require... [more]
SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-48
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
SDM 2012-06-21
11:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大SDM2012-50
本研究では,金属/Pr酸化膜/Geゲートスタック構造の化学結合状態にゲート金属が与える影響について,酸素化学ポテンシャル... [more] SDM2012-50
pp.37-42
SDM 2011-07-04
11:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusuman DariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.SDM2011-57
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] SDM2011-57
pp.41-46
SDM 2011-07-04
13:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2011-59
次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<1011 cm-2-eV-1)と低SiO2等価膜厚(1 nm)とを同時... [more] SDM2011-59
pp.51-56
SDM 2011-07-04
13:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御
加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大SDM2011-60
プラセオジム(Pr)酸化膜/GeおよびPr酸化膜/Pr酸窒化膜/Ge構造において化学結合状態および電気的特性を評価し,P... [more] SDM2011-60
pp.57-62
SDM 2009-06-19
13:20
東京 東京大学(生産研An棟) ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御
加藤公彦近藤博基坂下満男財満鎭明名大SDM2009-33
高移動度Geチャネルを有するmetal-oxide-semiconductor (MOS) 型トランジスタの実現に向け、... [more] SDM2009-33
pp.39-44
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