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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2023-01-27
14:05
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
Beyond 5G実現に向けたN極性GaN HEMTへの期待と課題
吉田成輝牧山剛三早坂明泰眞壁勇夫中田 健住友電工ED2022-94 MW2022-153
 [more] ED2022-94 MW2022-153
pp.40-43
SeMI, IPSJ-MBL, IPSJ-DPS, IPSJ-ITS
(連催)
2021-05-27
17:15
ONLINE オンライン開催 単眼カメラによる遮蔽を考慮した運動時密検出システムの開発
長谷川凌佑内山 彰小笠原一生阪大)・村松大吾成蹊大)・大倉史生高畑裕美中田 研東野輝夫阪大SeMI2021-5
 [more] SeMI2021-5
pp.21-26
SITE 2019-12-06
13:00
神奈川 神奈川大学(横浜キャンパス) 畳み込みニューラルネットワークを用いた知覚ハッシュのための中間層の分析
中谷 憲孟 昭雄森住哲也木下宏揚神奈川大SITE2019-80
本研究は、安全性と利便性を両立する新たなデジタルコンテンツの著作権管理の手法を探索する
ため、コンテンツの冗長性を利用... [more]
SITE2019-80
pp.1-6
ED, MW
(共催)
2018-01-25
15:45
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 Si基板上に作製したInAlN-MIS-HEMTの遅延時間解析
吉田智洋住友電工)・山下良美NICT)・眞壁勇夫住友電工)・渡邊一世笠松章史NICT)・中田 健井上和孝住友電工ED2017-94 MW2017-163
 [more] ED2017-94 MW2017-163
pp.7-10
MW, ED
(共催)
2015-01-16
11:05
東京 機械振興会館 シリコン基板上GaN-HEMTの高周波特性の改善
眞壁勇夫市川弘之由比圭一河内剛志井上和孝中田 健住友電工ED2014-128 MW2014-192
 [more] ED2014-128 MW2014-192
pp.65-70
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-12
11:15
大阪 阪大 中ノ島センター 低転位GaN基板上縦型HFET
岡田政也斎藤 雄横山満徳中田 健八重樫誠司片山浩二上野昌紀木山 誠勝山 造中村孝夫住友電工ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
再成長AlGaN/GaNの2次元電子ガスをチャネルとする低転位GaN基板上の縦型Heterojunction Field... [more] ED2010-157 CPM2010-123 LQE2010-113
pp.67-70
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
09:50
福井 福井大学 ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減
松田慶太川崎 健中田 健五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイスED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度・移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗・高耐... [more] ED2007-167 CPM2007-93 LQE2007-68
pp.57-61
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:25
京都 京都大学 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化
中田 健川崎 健松田慶太五十嵐武司八重樫誠司ユーディナデバイス
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワー... [more] ED2006-153 CPM2006-90 LQE2006-57
pp.7-12
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
14:30
滋賀 立命館大学 リセスゲートを用いたノーマリーオフAlGaN/GaN HEMT
中田 健川崎 健八重樫誠司ユーディナデバイス
AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高いために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワース... [more] ED2005-129 CPM2005-116 LQE2005-56
pp.51-56
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