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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
13:05
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]プラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を用いたAlSiO/p-GaN MOSFETの分極制御
伊藤健治成田哲生井口紘子岩崎四郎菊田大悟豊田中研)・狩野絵美五十嵐信行冨田一義堀田昌宏須田 淳名大SDM2023-75
AlSiO/p型GaN MOSFETにプラズマ支援原子層堆積法で形成したAlN界面層を導入することで, 分極電荷を用いた... [more] SDM2023-75
pp.5-8
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
10:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) GaN基板上GaNエピ層のマイクロ波光導電減衰法による評価
浅田貴斗市川義人名工大)・伊藤健治冨田一義成田哲生豊田中研)・加地 徹名大)・加藤正史名工大ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
 [more] ED2017-25 CPM2017-11 SDM2017-19
pp.55-58
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