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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| VLD, CPSY, RECONF (共催) IPSJ-SLDM, IPSJ-ARC (共催) (連催) [詳細] |
2016-01-21 11:20 |
神奈川 | 慶應義塾大学 日吉キャンパス | フルシステムシミュレータによるソフトウェア定義型SSDのアーキテクチャ最適化 ○五木田 駿・風間 哲・柴田清己・桑村慎哉・吉田英司・小川淳二（富士通研）  VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85 |
近年，SSDのFTLをソフトウェアで実装することでNAND Flashデバイスの高並列制御を行うソフトウェア定義型SSD... [more] | VLD2015-103 CPSY2015-135 RECONF2015-85 pp.197-202 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 13:45 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | RFマグネトロンスパッタリング法によるIn2O3薄膜の特性評価 ○吉岡敏博・小川淳史・弓削政博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-15 SDM2015-98 |
酸化物半導体は可視領域内の高い光透過率とアモルファス状態における優れた高い移動度が認められるため,アモルファスシリコンと... [more] | EID2015-15 SDM2015-98 pp.27-30 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 14:00 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | ミストCVD法によるGaxSn1-xO薄膜の特性評価 ○弓削政博・小川淳史・吉岡敏博・加藤雄太・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-16 SDM2015-99 |
薄膜トランジスタ動作する事が確認されたGaxSn1-xO(GTO)薄膜を、非真空プロセスであるミストCVD法によって、 ... [more] | EID2015-16 SDM2015-99 pp.31-34 |
| EID, SDM (共催) |
2015-12-14 15:15 |
京都 | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 | SnO2/Al2O3薄膜の特性評価と薄膜トランジスタの評価 ○小川淳史・弓削政博・吉岡敏博・松田時宜・木村 睦（龍谷大） EID2015-20 SDM2015-103 |
酸化物半導体であるSnO2とAl2O3をSn : Al= 9 : 1で混合した材料の焼結セラミックをターゲットとしてRF... [more] | EID2015-20 SDM2015-103 pp.49-52 |
| CPSY, IPSJ-ARC (連催) |
2015-10-08 10:00 |
千葉 | 幕張メッセ | ［ポスター講演］高並列アクセスを可能にする高性能ソフトウェア定義型SSDの開発 ○風間 哲・柴田清己・五木田 駿・桑村慎哉・吉田英司・小川淳二（富士通研） CPSY2015-53 |
[more] | CPSY2015-53 p.45 |
| IT | 2012-09-28 09:10 |
群馬 | 草津セミナーハウス | 組み込みシステムにおけるBCH符号の汎用エンコーダの開発 ○水島永雅・高谷幸宏・小川純司・石川 篤（日立） IT2012-36 |
フラッシュメモリに高速にデータを記録する組み込みシステムにおいて，誤り訂正に利用するBCH符号のパリティはそのコントロー... [more] | IT2012-36 pp.31-36 |
| ICD, SDM (共催) |
2006-08-17 16:10 |
北海道 | 北海道大学 | 25%のロッキングレンジを持つ20GHzインジェクションロックLC分周器 ○柴崎崇之（慶大）・田村泰孝・神田浩一・山口久勝・小川淳二（富士通研）・黒田忠広（慶大） |
[more] | SDM2006-138 ICD2006-92 pp.75-79 |
| ICD | 2006-05-26 16:15 |
兵庫 | 神戸大学 | Resister-Transconductorハイブリッド回路を用いた20Gb/s同時双方向送受信回路 ○富田安基（慶大）・田村泰孝・木船雅也・小川淳二・後藤公太郎（富士通研）・黒田忠広（慶大） |
Resistor-Transconductor (R-gm)ハイブリッド回路を用いる事により20Gb/s同時双方向伝送を... [more] | ICD2006-39 pp.101-104 |
| ICD | 2005-12-16 13:50 |
高知 | 高知工科大 | A 0.8-1.3V 16-channel 2.5Gbps High-speed Serial Transceiver in a 90nm Standard CMOS Process ○Yoshiyasu Doi（Fujitsu Labs.）・Syunitirou Masaki・Takaya Chiba（Fujitsu）・Hirohito Higashi・Hisakatsu Yamaguchi・Hideki Takauchi・Hideki Ishida（Fujitsu Labs.）・Kohtaroh Gotoh（Fujitsu）・Junji Ogawa・Hirotaka Tamura（Fujitsu Labs.） |
本論文は、電源電圧が0.8から1.3Vで動作する、16チャネル 2.5Gbpsのシリアルトランシーバに関するものである。... [more] | ICD2005-201 pp.55-60 |
| VLD, ICD, DC, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-11-30 14:40 |
福岡 | 北九州国際会議場 | 90nm標準CMOSプロセスを用いて試作した40Gb/s 4:1 MUX/1:4 DEMUX ○神田浩一・山崎大輔・山本拓司・堀中 実・小川淳二・田村泰孝・小野寺裕幸（富士通研） |
[more] | VLD2005-55 ICD2005-150 DC2005-32 pp.7-14 |
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