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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-06-19 15:10 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2009-38 |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] | SDM2009-38 pp.67-70 |
| SDM | 2006-06-21 15:20 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上 ○嶋本泰洋（日立）・由上二郎・井上真雄・水谷斉治・林 岳・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
[more] | SDM2006-47 pp.31-35 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 11:35 |
北海道 | 函館国際ホテル | poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ～ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ～ ○由上二郎（ルネサステクノロジ）・嶋本泰洋（日立）・井上真雄・水谷斉治・林 岳・志賀克哉・藤田文子・土本淳一・大野吉和・米田昌弘（ルネサステクノロジ） |
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] | SDM2005-149 ICD2005-88 pp.37-42 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-19 15:15 |
北海道 | 函館国際ホテル | [パネルディスカッション] ゲートリークの救世主、それはHigh-k！ 榎本忠儀（中大）・○高柳万里子（東芝）・佐藤成生（富士通）・新居浩二（ルネサステクノロジ）・西山 彰（東芝）・長谷 卓（NEC）・濱田基嗣（東芝）・由上二郎（ルネサステクノロジ） |
(事前公開アブストラクト) Hi-K技術のパネル討論会 [more] | SDM2005-155 ICD2005-94 pp.73-78 |
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