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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ED (共催) |
2009-06-26 10:00 |
海外 | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） | Multi-level reading method by using PCI(Paierd Cell Interference) in vertical NAND flash memory. ○Yoon Kim・Seongjae Cho・Jang-Gn Yun・Il Han Park・Gil Sung Lee・Doo-Hyun Kim・Dong Hua Li・Se Hwan Park・Wandong Kim・Wonbo Shim・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）  ED2009-96 SDM2009-91 |
[more] | ED2009-96 SDM2009-91 pp.197-200 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 09:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories ○Doo-Hyun Kim・Il Han Park・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-55 SDM2008-74 |
This paper presents a detailed study of the retention charac... [more] | ED2008-55 SDM2008-74 pp.81-84 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-10 10:15 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | Design of Vertical Nonvolatile Memory Device Considering Gate-Induced Barrier Lowering(GIBL) ○Seongjae Cho・Il Han Park・Jung Hoon Lee・Gil Sung Lee・Jong Duk Lee・Hyungcheol Shin・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.） ED2008-58 SDM2008-77 |
Recently, various 3-D nonvolatile memory (NVM) devices have ... [more] | ED2008-58 SDM2008-77 pp.95-99 |
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