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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2009-01-14
15:25
東京 機械振興会館 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード
石田秀俊柴田大輔松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2008-202 MW2008-167
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] ED2008-202 MW2008-167
pp.23-27
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
15:20
愛知 名古屋工業大学 EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析
石堂輝樹松尾尚慶片山琢磨上田哲三井上 薫上田大助パナソニックED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125
GaN系トランジスタの低コスト化を実現するために、従来の高価なSiC基板に代わる大口径Si基板上の結晶成長が検討されてい... [more] ED2008-181 CPM2008-130 LQE2008-125
pp.145-148
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
ED, MW
(共催)
2008-01-16
16:15
東京 機械振興会館 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔上本康裕柳原 学石田秀俊松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・松尾尚慶松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.)・上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2007-213 MW2007-144
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] ED2007-213 MW2007-144
pp.39-43
ED, SDM
(共催)
2007-06-25
13:00
海外 Commodore Hotel Gyeongju Chosun, 慶州, 韓国 [招待講演]AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications
Yasuhiro UemotoMasahiro HikitaHiroaki UenoTomohiro MurataHisayoshi MatsuoHidetoshi IshidaManabu YanagiharaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaMatsushita
従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化を両立させる為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理... [more]
MW, ED
(共催)
2007-01-19
14:25
東京 機械振興会館 AlNバッファを用いたAlGaN/GaN/AlGaNダブルヘテロFETの高耐圧化
松尾尚慶上野弘明上田哲三田中 毅松下電器
 [more] ED2006-234 MW2006-187
pp.189-192
MW, ED
(共催)
2007-01-19
14:50
東京 機械振興会館 ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ
上本康裕引田正洋上野弘明松尾尚慶石田秀俊柳原 学上田哲三田中 毅上田大助松下電器
我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を... [more] ED2006-235 MW2006-188
pp.193-197
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
14:40
京都 京都大学 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
中澤一志上野弘明松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅松下電器
窒化ガリウム(GaN)は、高い絶縁破壊電界と高移動度を有し、次世代ハイパワーデバイス用途に有望な材料である。パワースイッ... [more] ED2006-156 CPM2006-93 LQE2006-60
pp.23-27
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