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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2020-02-07
09:35
東京 東京大学/本郷キャンパス工学部4号館3階42講義室(419号室) [招待講演]強誘電体Hf0.5Zr0.5O2膜中へ単層Si挿入により均一埋設したAlナノクラスタが強誘電体トランジスタの閾値電圧ばらつきに与える効果
山口 直前川径一大原隆裕天羽生 淳佃 栄次園田賢一郎柳田博史井上真雄松浦正純山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2019-89
 [more] SDM2019-89
pp.5-8
SDM 2018-10-17
14:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]次世代車載マイコン対応Fin-FET MONOS
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山口泰男山下朋弘ルネサス エレクトロニクスSDM2018-52
 [more] SDM2018-52
pp.1-5
SDM 2018-01-30
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ
津田是文斉藤朋也長瀬寛和川嶋祥之吉冨敦司岡西 忍林 倫弘丸山卓也井上真雄村中誠志加藤茂樹萩原琢也齊藤博和山口 直門島 勝丸山隆弘三原竜善柳田博史園田賢一郎山下朋弘山口泰男ルネサス エレクトロニクスSDM2017-94
本論文ではFinFET構造を持つSG-MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティについて述べる.FinFET SG-M... [more] SDM2017-94
pp.13-16
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
09:00
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]A Perpetuum Mobile 32bit CPU with 13.4pJ/cycle, 0.14μA Sleep Current using Reverse-Body-Bias Assisted 65nm SOTB CMOS Technology
Koichiro IshibashiUEC)・Nobuyuki SugiiLEAP)・Kimiyoshi UsamiSIT)・Hideharu AmanoKU)・Kazutoshi KobayashiKIT)・Cong-Kha PhamUEC)・Hideki MakiyamaYoshiki YamamotoHirofumi ShinoharaToshiaki IwamatsuYasuo YamaguchiHidekazu OdaTakumi HasegawaShinobu OkanishiHiroshi YanagitaLEAPSDM2014-62 ICD2014-31
 [more] SDM2014-62 ICD2014-31
pp.1-4
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